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PDF IPD90N10S4-06 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | IPD90N10S4-06 | |
| Descripción | Power-Transistor | |
| Fabricantes | Infineon | |
| Logotipo |  |
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OptiMOSTM-T2 Power-Transistor
Features
• N-channel - Normal Level - Enhancement mode
• AEC qualified
• MSL1 up to 260°C peak reflow
• 175°C operating temperature
• Green Product (RoHS compliant)
• 100% Avalanche tested
IPD90N10S4-06
Product Summary
VDS
RDS(on),max
ID
100 V
6.7 mW
90 A
PG-TO252-3-313
TAB
1
3
Type
IPD90N10S4-06
Package
Marking
PG-TO252-3-313 4N1006
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Continuous drain current1)
I D T C=25°C, V GS=10V
T C=100°C, V GS=10V1)
Pulsed drain current2)
Avalanche energy, single pulse2)
Avalanche current, single pulse
Gate source voltage
Power dissipation
Operating and storage temperature
I D,pulse T C=25°C
E AS I D=45A
I AS -
V GS
-
P tot T C=25°C
T j, T stg -
Value
90
72
360
250
70
±20
136
-55 ... +175
Unit
A
mJ
A
V
W
°C
Rev. 1.0
page 1
2014-06-30
1 page  
IPD90N10S4-06
5 Typ. output characteristics
I D = f(V DS); T j = 25 °C
parameter: V GS
360
10 V
320
7V
280
6 Typ. drain-source on-state resistance
R DS(on) = f(I D); T j = 25 °C
parameter: V GS
15
5 V 5.5 V
6V
13
240 11
6V
200
9
160
5.5 V
120 7
7V
80 5V
10 V
5
40
0 5V
0
1
2
VDS [V]
3
3
40
90 180 270
ID [A]
7 Typ. transfer characteristics
I D = f(V GS); V DS = 6V
parameter: T j
8 Typ. drain-source on-state resistance
R DS(on) = f(T j); I D = 90 A; V GS = 10 V
360
270
-55 °C
25 °C
175 °C
14
12
10
360
180 8
6
90
4
0
345678
VGS [V]
2
-60 -20 20 60 100 140 180
Tj [°C]
Rev. 1.0
page 5
2014-06-30
5 Page | ||
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| PDF Descargar | [ Datasheet IPD90N10S4-06.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| IPD90N10S4-06 | Power-Transistor | Infineon |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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