DataSheet26.com

IPC218N06L3 PDF даташит

Спецификация IPC218N06L3 изготовлена ​​​​«Infineon» и имеет функцию, называемую «MOSFET ( Transistor )».

Детали детали

Номер произв IPC218N06L3
Описание MOSFET ( Transistor )
Производители Infineon
логотип Infineon логотип 

4 Pages
scroll

No Preview Available !

IPC218N06L3 Даташит, Описание, Даташиты
MOSFET
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
BareDie
OptiMOS™3PowerMOSTransistorChip
IPC218N06L3
DataSheet
Rev.2.5
Final
Industrial&Multimarket









No Preview Available !

IPC218N06L3 Даташит, Описание, Даташиты
OptiMOS™3PowerMOSTransistorChip
IPC218N06L3
1Description
•N-channelenhancementmode
•FordynamiccharacterizationrefertothedatasheetofIPB016N06L3G
•AQL0.65forvisualinspectionaccordingtofailurecatalogue
•ElectrostaticDischargeSensitiveDeviceaccordingtoMIL-STD883C
•Diebond:solderedorglued
•Backsidemetallization:NiVsystem
•Frontsidemetallization:AlCusystem
•Passivation:nitride+imide
PowerMOSTransistorChip
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter
Value
Unit
V(BR)DSS
RDS(on)
Die size
60
1.61)
5.9 x 3.7
V
m
mm2
Thickness
205
µm
Drain
Gate
Source
Type/OrderingCode
IPC218N06L3
Package
Chip
Marking
not defined
RelatedLinks
-
2ElectricalCharacteristicsonWaferLevel
atTj=25°C,unlessotherwisespecified
Table2
Parameter
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Zero gate voltage drain current
Gate-source leakage current
Drain-source on- resistance
Reverse diode forward on-voltage
Avalanche energy, single pulse
Symbol
V(BR)DSS
VGS(th)
IDSS
IGSS
RDS(on)
VSD
EAS
Min.
60
1.2
-
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
--
1.7 2.2
0.1 3
1 100
1.22) 1003)
0.7 1.1
5004) -
Unit Note/TestCondition
V VGS=0V,ID=1mA
V VDS=VGS,ID=196µA
µA VGS=0V,VDS=60V
nA VGS=20V,VDS=0V
mVGS=10V,ID=2.0A
V VGS=0V,IF=1A
mJ ID =30 A, RGS =25
1) packaged in a P-TO263-7 (see ref. product)
2)typicalbaredieRDS(on)
3) limited by wafer test-equipment
4) Wafer tested. For general avalanche capability refer to the datasheet of IPB016N06L3 G
Final Data Sheet
2
Rev.2.5,2014-07-25









No Preview Available !

IPC218N06L3 Даташит, Описание, Даташиты
3PackageOutlines
OptiMOS™3PowerMOSTransistorChip
IPC218N06L3
Figure1OutlineChip,dimensionsinµm
Final Data Sheet
3
Rev.2.5,2014-07-25










Скачать PDF:

[ IPC218N06L3.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
IPC218N06L3MOSFET ( Transistor )Infineon
Infineon

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск