IPC171N04N PDF даташит
Спецификация IPC171N04N изготовлена «Infineon» и имеет функцию, называемую «MOSFET ( Transistor )». |
|
Детали детали
Номер произв | IPC171N04N |
Описание | MOSFET ( Transistor ) |
Производители | Infineon |
логотип |
4 Pages
No Preview Available ! |
MOSFET
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
BareDie
OptiMOS™3PowerMOSTransistorChip
IPC171N04N
DataSheet
Rev.2.5
Final
Industrial&Multimarket
No Preview Available ! |
OptiMOS™3PowerMOSTransistorChip
IPC171N04N
1Description
•N-channelenhancementmode
•FordynamiccharacterizationrefertothedatasheetofIPB021N04NG
•AQL0.65forvisualinspectionaccordingtofailurecatalogue
•ElectrostaticDischargeSensitiveDeviceaccordingtoMIL-STD883C
•Diebond:solderedorglued
•Backsidemetallization:NiVsystem
•Frontsidemetallization:AlSisystem
•Passivation:nitride(onlyonedgestructure)
PowerMOSTransistorChip
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter
Value
Unit
V(BR)DSS
RDS(on)
Die size
40
2.11)
5.9 x 2.95
V
mΩ
mm2
Thickness
205
µm
Drain
Gate
Source
Type/OrderingCode
IPC171N04N
Package
Chip
Marking
not defined
RelatedLinks
-
2ElectricalCharacteristicsonWaferLevel
atTj=25°C,unlessotherwisespecified
Table2
Parameter
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Zero gate voltage drain current
Gate-source leakage current
Drain-source on- resistance
Reverse diode forward on-voltage
Symbol
V(BR)DSS
VGS(th)
IDSS
IGSS
RDS(on)
VSD
Min.
40
2.1
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
--
3.0 4.0
0.1 1
1 100
1.12) 1003)
1.0 1.3
Unit Note/TestCondition
V VGS=0V,ID=1mA
V VDS=VGS,ID=150µA
µA VGS=0V,VDS=40V
nA VGS=20V,VDS=0V
mΩ VGS=10V,ID=2.0A
V VGS=0V,IF=1A
1) packaged in a P-TO263-7 (see ref. product)
2)typicalbaredieRDS(on);VGS=10Vwhenusedwith4x500µmAl-wedgebonding
3) limited by wafer test-equipment
Final Data Sheet
2
Rev.2.5,2014-06-21
No Preview Available ! |
3PackageOutlines
OptiMOS™3PowerMOSTransistorChip
IPC171N04N
Figure1OutlineChip,dimensionsinµm
Final Data Sheet
3
Rev.2.5,2014-06-21
Скачать PDF:
[ IPC171N04N.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
IPC171N04N | MOSFET ( Transistor ) | Infineon |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |