DataSheet26.com

6HP04MH PDF даташит

Спецификация 6HP04MH изготовлена ​​​​«ON Semiconductor» и имеет функцию, называемую «P-Channel Silicon MOSFET».

Детали детали

Номер произв 6HP04MH
Описание P-Channel Silicon MOSFET
Производители ON Semiconductor
логотип ON Semiconductor логотип 

4 Pages
scroll

No Preview Available !

6HP04MH Даташит, Описание, Даташиты
6HP04MH
Ordering number : ENA0368
6HP04MH
Features
4V drive.
P-Channel Silicon MOSFET
General-Purpose Switching Device
Applications
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
Tstg
Conditions
PW10µs, duty cycle1%
Mounted on a ceramic board (900mm20.8mm)
Ratings
--60
±20
--120
--480
0.6
150
--55 to +150
Unit
V
V
mA
mA
W
°C
°C
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Marking : QB
Symbol
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
yfs
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Conditions
ID=--1mA, VGS=0V
VDS=--60V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
VDS=--10V, ID=--100µA
VDS=--10V, ID=--60mA
ID=--60mA, VGS=--10V
ID=--30mA, VGS=--4V
VDS=--20V, f=1MHz
VDS=--20V, f=1MHz
VDS=--20V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
min
--60
--1.2
100
Ratings
typ
max
Unit
V
--1 µA
±10 µA
--2.6 V
180 mS
5.1 6.6
6.8 9.6
13.5
pF
3.4 pF
1.3 pF
36.5
ns
38.0
ns
455 ns
160 ns
Continued on next page.
© 2011, SCILLC. All rights reserved.
Jan-2011, Rev. 0
Rev.0 I Pwagwew1.oofn4seImwiw.cwo.omnsemi.com
Publication Order Number:
6HP04MH/D









No Preview Available !

6HP04MH Даташит, Описание, Даташиты
6HP04MH
Continued from preceding page.
Parameter
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--120mA
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--120mA
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--120mA
IS=--120mA, VGS=0V
Ratings
min typ max
Unit
1.6 nC
0.4 nC
0.16
nC
--0.85
--1.2 V
Package Dimensions
unit : mm
7019A-003
2.0 0.15
3
0 to 0.02
12
0.65 0.3
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : MCPH3
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
--10V
VDD= --30V
VIN
PW=10µs
D.C.1%
G Rg
ID= --60mA
RL=500
D VOUT
6HP04MH
P.G 50S
Rg=5k
ID -- VDS
ID -- VGS
--120
--120
--3.0V
VDS= --10V
--100
--100
--80 --80
--60
VGS= --2.5V
--60
--40 --40
--20 --20
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT10865
RDS(on) -- VGS
14
Ta=25°C
12
--60mA
10
8
6 ID= --30mA
4
0
0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT10866
RDS(on) -- Ta
14
12
10
8
6
I DI=D=--3--06m0Am,AV, VGSG=S-=-4-V-10V
4
22
0
0 --2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16 --18 --20
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT10867
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C IT10868
Rev.0 I Page 2 of 4 I www.onsemi.com









No Preview Available !

6HP04MH Даташит, Описание, Даташиты
6HP04MH
yfs-- ID
7
5 VDS= --10V
3
2
100
7
Ta=
--25°C
75°C
25°C
5
3
2
10
--1.0
1000
7
5
23
5 7 --10 2 3 5 7 --100
Drain Current, ID -- mA
SW Time -- ID
2 3 57
IT10869
td(off)
VDD= --30V
VGS= --10V
3
2 tf
100
7
5 tr td(on)
3
2
--0.01
23
5 7 --0.1
2
--10
VDS= --30V
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
--9 ID= --120mA
3
--8
57
IT10871
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT10873
PD -- Ta
0.7
--1000
7
5
3
2
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
--0.2
3
2
10
7
5
3
2
IS -- VSD
VGS=0V
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT10870
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
1.0
7
0 --5 --10 --15 --20 --25 --30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT10872
ASO
7
IDP= --480mA
5
PW10µs
3
2
ID= --120mA
--0.1
7
5
Operation in this area
3 is limited by RDS(on).
2
--0.01
--0.1
Ta=25°C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm20.8mm)
2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5 7 --100
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT10874
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
Mounted on a ceramic board (900mm 20.8mm)
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT10875
Rev.0 I Page 3 of 4 I www.onsemi.com










Скачать PDF:

[ 6HP04MH.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
6HP04MHP-Channel Silicon MOSFETSanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
6HP04MHP-Channel Silicon MOSFETON Semiconductor
ON Semiconductor

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск