|
|
PDF IN93AA86AN Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | IN93AA86AN | |
| Descripción | EEPROM Integrated circuit | |
| Fabricantes | Integral | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de IN93AA86AN (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 13 Páginas | ||
|
No Preview Available !
IN93AA86AN/AD, IN93AA86BN/BD, IN93AA86CN/CD
Микросхема IN93AA86AN/AD,
IN93AA86BN/BD, IN93AA86CN/CD
(аналог САТ93С86 ф.Catalyst) –
электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ
с информационной емкостью 16К (2048х8 и/или 1024х16)
с 3-х проводным интерфейсом. Для микросхем
IN93AA86CN, IN93AA86CD при подключении вывода
ORG к общему выводу выбирается организация
2048х8 бит. Если вывод ORG подключен к выводу питания
от источника напряжения или остается свободным, то вы-
бирается организация 1024х16 бит. Для микросхем типо-
номиналов А и В вывод ORG не подключается. При этом
микросхема IN93AA86AN, IN93AA86AD имеет организа-
цию 2048х8 бит, а микросхема IN93AA86BN,
IN93AA86BD – организацию 1024х16 бит.
Микросхема предназначена для записи, считывания и
длительного энергонезависимого неразрушаемого хране-
ния информации в системах с 3-х проводным интерфей-
сом. Используется в телевизионных приемниках, в технике
связи, контрольно-измерительной аппаратуре, изделиях
бытовой электроники.
08
08
01
Индекс N
01 DIP-корпус
Индекс D
SO-корпус
Рисунок 1 -
Микросхемы в DIP и SO-корпусах
Отличительные особенности:
• неразрушаемое хранение 16 Кбит информации в течение 100 лет при Тa = 25 оС;
• один источник питания (UСС = 1,8 B – 6,0 В);
• встроенный в кристалл умножитель напряжения;
• возможность образования общей шины ввода/вывода;
• автоматическое приращение адреса слова;
• внутренний таймер для записи;
• 1 000 000 циклов стирания/записи на байт;
• установка внутренней логики по включению питания;
• неограниченное количество циклов считывания;
• низкая потребляемая мощность;
• температурный диапазон от минус 40 до плюс 85 оС
CS 01
SK 02
DI 03
DO 04
08 Vcc
07 WE
06 NC (ORG)
05 GND
Рисунок 2 – Обозначение выводов в корпусе микросхем IN93AA86AN/AD,
IN93AA86BN/BD, (IN93AA86CN/CD)
Ред.01/15.06.2008
1
1 page  
IN93AA86AN/AD, IN93AA86BN/BD, IN93AA86CN/CD
Таблица 4 - Электрические параметры микросхем при Та от минус 45 до 85 °С
Наименование параметра, единица
измерения
Выходное напряжение
низкого уровня, В
Выходное напряжение
высокого уровня, В
Буквен-
ное обо-
значение
UOL1
UOH1
Выходное напряжение
низкого уровня, В
Выходное напряжение
высокого уровня, В
Ток утечки низкого уровня на входе,
мкА
Ток утечки высокого уровня на вхо-
де, мкА
Ток утечки низкого уровня на выхо-
де, мкА
UOL2
UOH2
IILL
IILH
IOLL
Ток утечки высокого уровня на вы-
ходе, мкА
IOLH
Ток потребления (8-разрядный ре-
жим), мкА
IN93AA86CN, IN93AA86CD
ICC1
IN93AA86AN, IN93AA86AD
Ток потребления (16-разрядный ре-
жим), мкА
ICC2
Режим измерения
4,5 В ≤ UCC ≤ 5,5 В
IOL = 2,1 мА
4,5 В ≤ UCC ≤ 5,5 В
IOH = -400 мкА
1,8 В ≤ UCC < 4,5 В
IOL = 1,0 мА
1,8 В ≤ UCC < 4,5 В
IOH = -100 мкА
1,8 В ≤ UCC ≤ 6,0 В
1,8 В ≤ UCC ≤ 6,0 В
UI = UCC
1,8 В ≤ UCC ≤ 6,0 В
UO = 0 В
UCS = 0 В
1,8 В ≤ UCC ≤ 6,0 В
UO = UCC
UCS = 0 В
UCC = 5,5 B
UCS = 0 В
UORG = 0 В
ORG свободный (NC)
UCC = 5,5 B
UCS = 0 В
Норма
не менее не более
– 0,4
2,4 –
–
UCC-0,2
–
–
–
0,2
–
-1,0
1,0
-1,0
– 1,0
– 10
– 10
IN93AA86CN, IN93AA86CD
IN93AA86BN, IN93AA86BD
Динамический ток потребления в ре-
жиме считывания, мкА
Динамический ток потребления в ре-
жиме стирания / записи, мА
Время установления выхода в со-
стояние низкого уровня по сигналу
SK, нс
IOCC R
IOCC E/W
tPD0
UORG = UCC или
ORG не подключен
ORG свободный (NC)
UСС = 5,0 B
fC = 1 МГц
UСС = 5,0 B
fC = 1 МГц
4,5 В ≤ UCC ≤ 6,0 В
fC = 3 МГц
2,5 В ≤ UCC ≤ 6,0 В
fC = 1,0 МГц
1,8 В ≤ UCC ≤ 6,0 В
fC = 0,5 МГц
– 500
– 3,0
– 150
– 500
– 1000
Ред.01/15.06.2008
5
5 Page 
IN93AA86AN/AD, IN93AA86BN/BD, IN93AA86CN/CD
Габаритные размеры корпуса
D
85
E1
14
b2 A
C
A1
e
b
0,25 (0,010) M C
L
Установочная
плоскость
c
E
α
Примечание - Размеры D, E1 не включают величину облоя, которая не должна превышать
0.25 (0.010) на сторону.
D E1 A b b2 e α
Миллиметры
min 9,02 6,07 ⎯ 0,36 1,14
0°
max 10,16 7,11 5,33 0,56 1,78 2.54 15°
Дюймы
min 0,355 0,240 ⎯ 0,014 0,045
0°
max 0,400 0,280 0,210 0,022 0,070 0,1 15°
L E c A1
2,93 7,62 0,20 0,38
3,81 8,26 0,36 ⎯
0,115 0,300 0,008 0,015
0,150 0,325 0,014 ⎯
Рисунок 11 – Габаритные размеры DIP-корпуса (MS-001BA)
Ред.01/15.06.2008
11
11 Page | ||
| Páginas | Total 13 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet IN93AA86AN.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| IN93AA86AD | EEPROM Integrated circuit | Integral |
| IN93AA86AN | EEPROM Integrated circuit | Integral |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |