KT8232B PDF даташит
Спецификация KT8232B изготовлена «ETC» и имеет функцию, называемую «HIGH POWER compound NPN transistor». |
|
Детали детали
Номер произв | KT8232B |
Описание | HIGH POWER compound NPN transistor |
Производители | ETC |
логотип |
2 Pages
No Preview Available ! |
КТ8232 А, Б. N-P-N КРЕМНИЕВЫЙ
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ МОЩ НЫЙ СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР
Предназначендляприменениявпереключающихиимпульсныхсхемах. Идеально
подходитдляэлектронныхсистемзажигания.
Имеетвстроенныйдиодвцепиколлектор- эмиттерисхемузащитыотвторичного
пробоя, R1 800 Ом,
R2 80 Ом.
Предельно-допустимыережимыэксплуатации
Наименованиепараметра
Напряжениеколлектор-эмиттер(IБ=0)
Напряжениеэмиттер-база(IC=0)
Постоянныйтокколлектора
Импульсныйтокколлектора
Постоянныйтокбазы
Импульсныйтокбазы
Постояннаярассеиваемаямощность
Энергияпробоянаиндуктивнуюнагрузку
Диапазонрабочихтемпературперехода
Максимальнаятемператураперехода
Обозначение Величина Ед. изм.
UCEO
350. . гр.А
300. . гр.Б
B
UEBО
IC
ICM
IB
IBМ
PD
Е
Tj
Tjmax
5
20
30
3
5
125*
350
-60 до+150
+150
B
А
А
А
А
Вт
мДж
¦С
¦С
* приТк= +25 ¦С
No Preview Available ! |
Электрическиехарактеристики
Наименованиепараметра
Граничноенапряжение
коллектор-эмиттер
(IC=100 мА)
Обратныйтокколлектор-
эмиттер(IB=0)
Обратныйтокэмиттер-база
(IC=0)
Статическийкоэффициент
передачитока
Напряжениенасыщения
коллектор-эмиттер
Напряжениенасыщениябаза-
эмиттер
Прямоенапряжениенадиоде
Обозна- Единица Величина Режим
чение измеренияМин. Макс. измерения
UCEO(sus)
В
350 500 группаА
250 350 группаБ
ICЕO
мА
0.1 UCЕ=300 B (А)
0.1 UCЕ=250 B (Б)
IЕВO
мА
20 UEB=5 B
hFE**
300 IC=5 А, UCЕ=10
B
UCE(sat)**
В
IC=8 А, IB=0.1
1.8
1.8
2.0
А
IC=10 А,
IB=0.25 А
IC=12 А, IB=0.3
А
UBE(sat)**
B
IC=8 А, IB=0.1
А
2.2
2.5
2.7
IC=10 А,
IB=0.25 А
IC=12 А, IB=0.3
А
UF B
2.5 IF=10 А
** измерениеданныхпараметровпроводитсявимпульсномрежиме: длительность
импульсов300 мкс, скважность1.5 %.
БлизкимианалогамитранзисторовКТ8232 А, БявляютсяприборыBU941ZP (SGS-
Thomson), атакжеКТ898 А, Б.
ОриентировочнаяоптоваяценанаIII кв. 1999 г. - 15 руб. 70 коп.
ПреимуществоКТ8232 А, Б- повышеннаяустойчивостьтранзистораквторичному
пробоюприработенаиндуктивнуюнагрузку. Типовоезначениеэнергии
вторичногопробоя- Е=1 Дж.
Скачать PDF:
[ KT8232B.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
KT8232 | HIGH POWER compound NPN transistor | ETC |
KT8232A | HIGH POWER compound NPN transistor | ETC |
KT8232B | HIGH POWER compound NPN transistor | ETC |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |