DataSheet26.com

даташит KT8232A PDF ( Datasheet )

KT8232A Datasheet Download - ETC

Номер произв KT8232A
Описание HIGH POWER compound NPN transistor
Производители ETC
логотип ETC логотип 

1Page
		

No Preview Available !

KT8232A Даташит, Описание, Даташиты
КТ8232 А, Б. N-P-N КРЕМНИЕВЫЙ
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ МОЩ НЫЙ СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР
Предназначендляприменениявпереключающихиимпульсныхсхемах. Идеально
подходитдляэлектронныхсистемзажигания.
Имеетвстроенныйдиодвцепиколлектор- эмиттерисхемузащитыотвторичного
пробоя, R1 800 Ом,
R2 80 Ом.
Предельно-допустимыережимыэксплуатации
Наименованиепараметра
Напряжениеколлектор-эмиттер(IБ=0)
Напряжениеэмиттер-база(IC=0)
Постоянныйтокколлектора
Импульсныйтокколлектора
Постоянныйтокбазы
Импульсныйтокбазы
Постояннаярассеиваемаямощность
Энергияпробоянаиндуктивнуюнагрузку
Диапазонрабочихтемпературперехода
Максимальнаятемператураперехода
Обозначение Величина Ед. изм.
UCEO
350. . гр.А
300. . гр.Б
B
UEBО
IC
ICM
IB
I
PD
Е
Tj
Tjmax
5
20
30
3
5
125*
350
-60 до+150
+150
B
А
А
А
А
Вт
мДж
¦С
¦С
* приТк= +25 ¦С







No Preview Available !

KT8232A Даташит, Описание, Даташиты
Электрическиехарактеристики
Наименованиепараметра
Граничноенапряжение
коллектор-эмиттер
(IC=100 мА)
Обратныйтокколлектор-
эмиттер(IB=0)
Обратныйтокэмиттер-база
(IC=0)
Статическийкоэффициент
передачитока
Напряжениенасыщения
коллектор-эмиттер
Напряжениенасыщениябаза-
эмиттер
Прямоенапряжениенадиоде
Обозна- Единица Величина Режим
чение измеренияМин. Макс. измерения
UCEO(sus)
В
350 500 группаА
250 350 группаБ
ICЕO
мА
0.1 U=300 B (А)
0.1 U=250 B (Б)
IЕВO
мА
20 UEB=5 B
hFE**
300 IC=5 А, U=10
B
UCE(sat)**
В
IC=8 А, IB=0.1
1.8
1.8
2.0
А
IC=10 А,
IB=0.25 А
IC=12 А, IB=0.3
А
UBE(sat)**
B
IC=8 А, IB=0.1
А
2.2
2.5
2.7
IC=10 А,
IB=0.25 А
IC=12 А, IB=0.3
А
UF B
2.5 IF=10 А
** измерениеданныхпараметровпроводитсявимпульсномрежиме: длительность
импульсов300 мкс, скважность1.5 %.
БлизкимианалогамитранзисторовКТ8232 А, БявляютсяприборыBU941ZP (SGS-
Thomson), атакжеКТ898 А, Б.
ОриентировочнаяоптоваяценанаIII кв. 1999 г. - 15 руб. 70 коп.
ПреимуществоКТ8232 А, Б- повышеннаяустойчивостьтранзистораквторичному
пробоюприработенаиндуктивнуюнагрузку. Типовоезначениеэнергии
вторичногопробоя- Е=1 Дж.










Всего страниц 2 Pages
Скачать PDF[ KT8232A.PDF Даташит ]

Ссылка Поделиться


Related Datasheets

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
KT8232HIGH POWER compound NPN transistorETC
ETC
KT8232AHIGH POWER compound NPN transistorETC
ETC
KT8232BHIGH POWER compound NPN transistorETC
ETC

Номер в каталоге Описание Производители
6MBP200RA-060

Intelligent Power Module

Fuji Electric
Fuji Electric
ADF41020

18 GHz Microwave PLL Synthesizer

Analog Devices
Analog Devices
AN-SY6280

Low Loss Power Distribution Switch

Silergy
Silergy

DataSheet26.com    |    2018    |   Контакты    |    Поиск