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даташит JCS18N50WH PDF ( Datasheet )

JCS18N50WH Datasheet Download - JILIN SINO-MICROELECTRONICS

Номер произв JCS18N50WH
Описание N-CHANNEL MOSFET
Производители JILIN SINO-MICROELECTRONICS
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JCS18N50WH Даташит, Описание, Даташиты
N 沟道增强型场效应晶体管
N- CHANNEL MOSFET
R
JCS18N50WH
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID
VDSS
Rdson(@Vgs=10V)
Qg
19 A
500 V
0.27Ω
50nC
用途
z 高频开关电源
z 电子镇流器
z UPS 电源
APPLICATIONS
z High efficiency switch
mode power supplies
z Electronic lamp ballasts
based on half bridge
z UPS
产品特性
z低栅极电荷
zCrss (典型值 25pF)
z开关速度快
z产品全部经过雪崩测试
z高抗 dv/dt 能力
zRoHS 产品
FEATURES
zLow gate charge
zLow Crss (typical 25pF )
zFast switching
z100% avalanche tested
zImproved dv/dt capability
zRoHS product
封装 Package
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
印记
Marking
JCS18N50WH-O-W-N-B JCS18N50WH
封装
Package
TO-247
无卤素
Halogen
Free
NO
包装
器件重量
Packaging Device Weight
条管 Tube 5.20g(typ)
版本:201105A
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JCS18N50WH Даташит, Описание, Даташиты
R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25)
项目
符号
Parameter
最高漏极-源极直流电压
Drain-Source Voltage
Symbol
VDSS
连续漏极电流
Drain Current -continuous
ID T=25
T=100
最大脉冲漏极电流(注 1
Drain Current -pulse note 1
IDM
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
VGSS
单脉冲雪崩能量(注 2
Single Pulsed Avalanche Energynote 2
EAS
雪崩电流(注 1
Avalanche Current note 1
IAR
重复雪崩能量(注 1
Repetitive Avalanche Current note 1
EAR
二极管反向恢复最大电压变化速率(注 3
Peak Diode Recovery dv/dt note 3
dv/dt
耗散功率
Power Dissipation
PD
TC=25
-Derate
above 25
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature Range
TJTSTG
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes
TL
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
JCS18N50WH
数值
Value
500
19.0*
12.0*
76*
±30
1002
19.0
20.8
4.5
单位
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
208
1.67
-55+150
300
W
W/
版本:201105A
2/8







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JCS18N50WH Даташит, Описание, Даташиты
R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC
JCS18N50WH
项目
符号
测试条件
最小 典型 最 大单 位
Parameter
关态特性 Off –Characteristics
漏-源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极体漏电流
Gate-body leakage current, forward
反向栅极体漏电流
Gate-body leakage current, reverse
通态特性 On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
动态特性 Dynamic Characteristics
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
Symbol
Tests conditions
Min Typ Max Units
BVDSS ID=250μA, VGS=0V
500 - - V
ΔBVDSS ID=250μA, referenced to
/ΔTJ 25
- 0.5 - V/
IDSS
IGSSF
VDS=500V, VGS=0V, TC=25
VDS=400V, TC=125
VDS=0V, VGS =30V
-
-
-
- 1 μA
- 10 μA
- 100 nA
IGSSR VDS=0V, VGS =-30V
- - -100 nA
VGS(th) VDS = VGS , ID=250μA
3.0 - 5.0 V
RDS(ON) VGS =10V , ID=9.5A
- 0.22 0.27
gfs
VDS = 40V , ID=9.5Anote 4- 24 -
S
Ciss
Coss
VDS=25V,
VGS =0V,
f=1.0MHZ
- 2300 2920 pF
- 350 450 pF
Crss - 27 43 pF
版本:201105A
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Номер в каталогеОписаниеПроизводители
JCS18N50WHN-CHANNEL MOSFETJILIN SINO-MICROELECTRONICS
JILIN SINO-MICROELECTRONICS

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6MBP200RA-060

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