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PDF 3DD3020A3 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 3DD3020A3
Descripción Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification
Fabricantes Huajing Microelectronics　
Logotipo Huajing Microelectronics Logotipo



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华润华晶分立器件
硅 NPN 低频放大双极型晶体管
○R
3DD3020A3
1 产品概述：
3DD3020A3 是硅 NPN 型功率开关晶体管，该产品采用高压平面
工艺，分压环终端结构和少子寿命控制技术，集成了有源抗饱和网
络，提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。
产品封装形式：TO-251，符合 ROHS 要求。
2 产品特点：
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 击穿电压高
● 工作电压范围宽
● 可靠性高
3 主要用途：
主要用于电子适配器、电子充电器等功率开关电路，
是该类电子产品的核心部件。
特征参数
VCEO
IC
Ptot（TC=25℃）
450
1.5
30
TO-251
V
A
W
12 3
1. B 2. C
3. E
内部等效原理图
C
B
VD
E
产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
有害物质或元素
部件名称
(含量要求)
引线框
塑封树脂
管芯
内引线
焊料
说明
铅
（Pb）
汞
（Hg）
镉 六 价 铬 多溴联苯 多溴二苯醚
（Cd） （Cr(VI)） (PBB) （PBDE）
≤0.1% ≤0.1% ≤0.01% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1%
○○○○○
○
○○○○○
○
○○○○○
○
○○○○○
○
×○○○○
○
○：表示该元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×：表示该元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中含有铅（Pb）成分，但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。
第 1 页 共 5 页 2008 版

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3DD3020A3 pdf
6 外形图
华润华晶分立器件
○R 3DD3020A3
项目
A
B
C
D
E
F
G
H
L
M
N
规范(mm)
MIN MAX
6.40 6.80
5.80 6.20
2.20 2.40
0.40 0.60
0.50 0.70
0.40 0.60
0.70 0.90
1.60 2.00
7.80 9.30
5.10 5.50
2.09 2.49
7 说明
7-1 包装说明：
1）产品的小包装，采用 500 只/包的塑料袋包装；
2）产品的中包装，采用 10 包/盒的中号纸盒包装；
3）产品的大包装，采用 8 盒/箱的大号纸板箱包装。
7-2 注意事项：
1）凡华润华晶出厂的产品，均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求；对于客户有特殊要
求的产品,双方应签订相关技术协议。
2）建议器件在最大额定值的 80% 以下使用；在安装时，要注意减少机械应力的产生，防止由
此引起的产品失效；避免靠近发热元件；焊接上锡时要注意控制温度和时间。
3) 本规格书由华润华晶公司制作，并不断更新，更新时不再专门通知。
8 联络方式
Marketing Part： http://www.wimtel.com
Tel: 0755-82389111 Fax: 0755-33065120
第5页 共5页
2010 版

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
3DD3020A3Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplificationHuajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
3DD3020A6Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplificationHuajing Microelectronics
Huajing Microelectronics

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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