DataSheet26.com

S9012 PDF даташит

Спецификация S9012 изготовлена ​​​​«TOPSKY» и имеет функцию, называемую «PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor».

Детали детали

Номер произв S9012
Описание PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
Производители TOPSKY
логотип TOPSKY логотип 

4 Pages
scroll

No Preview Available !

S9012 Даташит, Описание, Даташиты
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
FEATURES
z High Collector Current.(IC= -500mA
z Complementary To S9013.
z Excellent HFE Linearity.
Pb
Lead-free
APPLICATIONS
z High Collector Current.
ORDERING INFORMATION
Type No.
Marking
S9012
2T1
Production specification
S9012
SOT-23
Package Code
SOT-23
MAXIMUM RATING @ Ta=25unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VCBO
Collector-Base Voltage
-40
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-25
VEBO
Emitter-Base Voltage
-5
IC Collector Current -Continuous
-500
PC Collector Dissipation
300
Tj,Tstg
Junction and Storage Temperature
-55~150
Units
V
V
V
mA
mW
SHENZHEN TOPSKY TECHNOLOGY CO.,LTD
Rev.A
www.szct.com.cn
1









No Preview Available !

S9012 Даташит, Описание, Даташиты
Production specification
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
S9012
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
ICBO
ICEO
IEBO
hFE
VCE(sat)
VBE(sat)
Transition frequency
fT
Test conditions
IC=-100μA,IE=0
IC=-1mA,IB=0
IE=-100μA,IC=0
VCB=-40V,IE=0
VCE=-20V,IB=0
VEB=-5V,IC=0
VCE=-1V,IC=-50mA
IC=-500mA, IB= -50mA
IC=-500mA, IB= -50mA
VCE=-6V, IC= -20mA
f=30MHz
MIN TYP MAX UNIT
-40 V
-25 V
-5 V
-0.1 μA
-0.1 μA
-0.1 μA
120 400
-0.6 V
-1.2 V
150 MHz
Collector output capacitance
Cob VCB=-10V,IE=0,f=1MHz
5 pF
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank
Range
MARKING
L
120-200
H
200-350
2T1
J
300-400
SHENZHEN TOPSKY TECHNOLOGY CO.,LTD
Rev.A
www.szct.com.cn
2









No Preview Available !

S9012 Даташит, Описание, Даташиты
Production specification
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
S9012
TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25unless otherwise specified
SHENZHEN TOPSKY TECHNOLOGY CO.,LTD
Rev.A
www.szct.com.cn
3










Скачать PDF:

[ S9012.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
S9011NPN TransistorWEJ
WEJ
S9011NPN Silicon Epitaxial Planar TransistorBL
BL
S9012TO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsETC
ETC
S9012PNP General Purpose TransistorsWeitron Technology
Weitron Technology

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск