DataSheet26.com

G30H603 PDF даташит

Спецификация G30H603 изготовлена ​​​​«Infineon» и имеет функцию, называемую «IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )».

Детали детали

Номер произв G30H603
Описание IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
Производители Infineon
логотип Infineon логотип 

14 Pages
scroll

No Preview Available !

G30H603 Даташит, Описание, Даташиты
IGBT
HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology
IGP30N60H3
600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration
Datasheet
IndustrialPowerControl









No Preview Available !

G30H603 Даташит, Описание, Даташиты
IGP30N60H3
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration
HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology

Features:
TRENCHSTOPTMtechnologyoffering
•verylowturn-offenergy
•lowVCEsat
•lowEMI
•maximumjunctiontemperature175°C
•qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications
•Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,RoHS
compliant
•completeproductspectrumandPSpiceModels:
http://www.infineon.com/igbt/
Applications:
•uninterruptiblepowersupplies
•weldingconverters
•converterswithhighswitchingfrequency
GC E
G
C
C
E
KeyPerformanceandPackageParameters
Type
VCE IC VCEsat,Tvj=25°C
IGP30N60H3
600V 30A
1.95V
Tvjmax
175°C
Marking
G30H603
Package
PG-TO220-3
2 Rev.2.2,2014-03-11









No Preview Available !

G30H603 Даташит, Описание, Даташиты
IGP30N60H3
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical Characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12
Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14
3 Rev.2.2,2014-03-11










Скачать PDF:

[ G30H603.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
G30H603IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )Infineon
Infineon

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск