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SFH4211 PDF даташит

Спецификация SFH4211 изготовлена ​​​​«OSRAM» и имеет функцию, называемую «GaAs Infrared Emitter».

Детали детали

Номер произв SFH4211
Описание GaAs Infrared Emitter
Производители OSRAM
логотип OSRAM логотип 

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SFH4211 Даташит, Описание, Даташиты
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse
GaAs Infrared Emitter in SMT Package
SFH 4211
Wesentliche Merkmale
• GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
• Gleichstrom- (mit Modulation) oder
Impulsbetrieb möglich
• Hohe Zuverlässigkeit
• Hohe Impulsbelastbarkeit
• Oberflächenmontage geeignet
• Gegurtet lieferbar
• SFH 4211 Gehäusegleich mit SFH 320
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenleser
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Automobiltechnik
• Sensorik
• Alarm- und Sicherungssysteme
• IR-Freiraumübertragung
Features
• Very highly efficient GaAs-LED
• Good Linearity (Ie = f [IF]) at high currents
• DC (with modulation) or pulsed operations are
possible
• High reliability
• High pulse handling capability
• Suitable for surface mounting (SMT)
• Available on tape and reel
• SFH 4211 same package as SFH 320
Applications
• Miniature photointerrupters
• Industrial electronics
• For drive and control circuits
• Automotive technology
• Sensor technology
• Alarm and safety equipment
• IR free air transmission
Typ
Type
SFH 4211
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P1825
Gehäuse
Package
Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke
cathode marking: bevelled edge
TOPLED®
2000-08-24
1









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SFH4211 Даташит, Описание, Даташиты
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
Durchlaßstrom
Forward current
IF
Stoßstrom, τ = 10 µs, D = 0
Surge current
IFSM
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm2
Thermal resistance junction - ambient mounted
on PC-board (FR4), padsize 16 mm2 each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
RthJA
RthJS
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
Spectral bandwidth at 50% of Imax
IF = 100 mA
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimensions of the active chip area
Symbol
Symbol
λpeak
∆λ
ϕ
A
L×B
L×W
2000-08-24
2
SFH 4211
Wert
Value
– 40 + 100
Einheit
Unit
°C
5V
100 mA
3A
160 mW
450 K/W
200 K/W
Wert
Value
950
55
± 60
0.09
0.3 × 0.3
Einheit
Unit
nm
nm
Grad
deg.
mm2
mm









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SFH4211 Даташит, Описание, Даташиты
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Schaltzeiten, Ιe von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50
Switching times, Ιe from 10% to 90% and from
90% to 10%, IF = 100 mA, RL = 50
Kapazität,
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Durchlaßspannung,
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µs
Sperrstrom,
Reverse current
VR = 5 V
Gesamtstrahlungsfluß,
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA
tr, tf
Co
VF
VF
IR
Φe
TCI
TCV
TCλ
SFH 4211
Wert
Value
0.5
25
Einheit
Unit
µs
pF
1.3 (1.5)
1.9 (2.5)
0.01 (1)
V
V
µA
20 mW
– 0.55
%/K
– 1.5
+ 0.3
mV/K
nm/K
2000-08-24
3










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Номер в каталогеОписаниеПроизводители
SFH421GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAlAs Infrared Emitter in SMT PackageSiemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
SFH4211GaAs Infrared EmitterOSRAM
OSRAM

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

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