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BW228 PDF даташит

Спецификация BW228 изготовлена ​​​​«ETC» и имеет функцию, называемую «GaAs monolithic integrated power amplifier».

Детали детали

Номер произв BW228
Описание GaAs monolithic integrated power amplifier
Производители ETC
логотип ETC логотип 

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BW228 Даташит, Описание, Даташиты
BW228
GaAs单片集成功率放大器
性能特点
l工作频段:6~18GHz
lP1dB输出功率:+20dBm@20%PAE
l增益:15dB
lI输出IP3:28dBm
l直流供电:单电源+5V@90mA
l输入/输出阻抗:50Ohm
l芯片尺寸: 1.25x1.0x0.1mm
典型应用
l点对点通信
lVSAT&SATCOM
l微波无线电
l测试测量
l仪器仪表
功能框图
概述
BW228是一款工作于6-18GHz的砷化镓pHEMT中功率放大器芯片。采用单电源+5V供电,可提供15dB
增益,+20dBm的P1dB输出功率和20%的功率附加效率。较小的尺寸利于MCM集成。
该放大器芯片采用了片上通孔金属化工艺保证良好接地,芯片背面进行了金属化处理,适用于共晶烧
结或导电胶粘接工艺。
电性能表 (TA=+25℃, 50Ω system, Vdd=+5V, Idd=90mA )
参数名称
最小值
典型值
频段
6 ~18
增益
12 15
输入回波损耗
- 10
输出回波损耗
- 15
输出 P-1
- 20
功率附加效率 30 33
OIP3
- 28
饱和电流
- 100
最大值
-
-
-
-
-
-
-
单位
GHz
dB
dB
dB
dBm
%
dBm
mA
测试曲线
30
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
4
6
增益&回波损耗
S21
S11
S22
8 10 12 14 16 18 20 22 24
频率(GHz)
增益 vs.温度
20
16
12
8
+25oC
4 +85oC
-55oC
0
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
频率(GHz)
技术支持服务信息 ☆ TEL: 0311-839330068393300783933096 FAX: 0311-83933424 http://www.hbmmc.com
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BW228 Даташит, Описание, Даташиты
BW228GaAs单片集成功率放大器
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
4
输入回波损耗 vs.温度
+25oC
+85oC
-55oC
6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
频率(GHz)
输出回波损耗 vs.温度
0
-5 +25oC
+85oC
-10 -55oC
-15
-20
-25
-30
-35
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
频率(GHz)
输出P-1 vs.温度
24
22
20
18
16
14
+25oC
12 +85oC
-55oC
10
8
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
频率(GHz)
饱和输出功率 vs.温度
24
22
20
18
16
14
+25oC
12 +85oC
-55oC
10
8
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
频率(GHz)
功率压缩@11GHz
30
25
20
15
10
5
0
-10 -8 -6 -4 -2 0 2
4
输入功率(dBm)
Pout
Gain
PAE
6 8 10
功率压缩@15GHz
30
25
20
15
10
5
0
-10 -8 -6
-4 -2 0 2 4
输入功率(dBm)
Pout
Gain
PAE
6 8 10
技术支持服务信息 ☆ TEL: 0311-839330068393300783933096 FAX: 0311-83933424 http://www.hbmmc.com
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BW228GaAs单片集成功率放大器
OIP3 vs.温度
34
32
30
28
26
24
22
20
18 +25oC
16 +85oC
14 -55oC
12
10
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
频率(GHz)
反向隔离度vs.温度
-10
-20
-30
-40
+25oC
-50
+85oC
-55oC
-60
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
频率(GHz)
极限参数
l电源电压(Vdd) : +6V
l结温:+175
lRF输入功率: +15dBm
l储存温度: -65~+150
l工作温度: -55~+125℃
外形尺寸
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
说明:
1.单位:毫米 [英寸]
2.芯片背面镀金
3.芯片背面接地
4.键合压点镀金,压点尺寸: 0.1X 0.1mm
5.不能在通孔上进行键合
6.外形尺寸公差 : ±0.05mm
0.13
[0.005]
0.18
[0.007]
键合压点定义
压点编号
功能符号
1
RF IN
23
Vdd1、Vdd2
0.59
[0.023]
1.25
[0.049]
4
RF OUT
0.21
[0.008]
芯片底部
GND
功能描述
射频信号输入端,
外接50系统,无
需隔直电容。
放大器漏极偏压,
需外置 100 pF旁
路电容,和 0.1uF
电容。
射频信号输出端,
外接50系统,无
需隔直电容。
芯片底部与射频
及直流地需要良
好接触。
等效电路 RFin
Vdd1-2
RFout
GND
技术支持服务信息 ☆ TEL: 0311-839330068393300783933096 FAX: 0311-83933424 http://www.hbmmc.com
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Номер в каталогеОписаниеПроизводители
BW228GaAs monolithic integrated power amplifierETC
ETC

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

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