DataSheet26.com

SI-A1750 PDF даташит

Спецификация SI-A1750 изготовлена ​​​​«Diotec» и имеет функцию, называемую «High Voltage Silicon Rectifier Diodes».

Детали детали

Номер произв SI-A1750
Описание High Voltage Silicon Rectifier Diodes
Производители Diotec
логотип Diotec логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

SI-A1750 Даташит, Описание, Даташиты
SI-A1125/500-6 ... SI-A8000/3600-1.8
SI-A1125/500-6 ... SI-A8000/3600-1.8
High Voltage Silicon Rectifier Diodes
Silizium-Hochspannungs-Gleichrichterdioden
Version 2013-03-11
Nominal current
Nennstrom
55 Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
16 Hockey-puck plastic case
Hockey-puck Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Polarity: Cathode to stud
Polarität: Kathode am Außengewinde
SI-A 3000/1350-2.5
M8
Compound has classification UL94V-0
Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
6...1.8 A
1125...8000 V
Ø 55 x 23 [mm]
125 g
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type 1)
Typ 1)
SI-A1125/500-6
SI-A1750/775-4
SI-A3000/1350-2.5
SI-A8000/3600-1.8
Rated DC voltage
Anschlussgleichspg.
VRD [V]
500
775
1350
3600
Alternat. input voltage
Eingangswechselspg.
VVRMS [V]
1125
1750
3000
8000
Grenzwerte
Rep. peak reverse voltage
Period. Spitzensperrspg.
VRRM [V]
3200
4800
8000
24000
Maximum ratings, TA = 50°C
Type
Typ
Max. average fwd. current
Dauergrenzstrom
IFRM [A]
SI-A1125/500-6
6.0
SI-A1750/775-4
4.0
SI-A3000/1350-2.5
2.5
SI-A8000/3600-1.8
1.8
Peak fwd. surge current
Stoßstrom
IFSM [A] 2)
300
200
200
100
Grenzwerte, TA = 50°C
Rating for fusing
Grenzlastintegral
i2t [A2s] (t<10 ms)
450
200
200
50
1 SI-A and SI-E are identical devices – Si-A und SI-E sind identische Bauteile
2 For one 50 Hz half sine-wave – Für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1









No Preview Available !

SI-A1750 Даташит, Описание, Даташиты
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
SI-A1125/500-6 ... SI-A8000/3600-1.8
Tj -50...+150°C
TS -50...+150°C
M8 < 72 lb.in.
< 8 Nm
Characteristics
Type
Typ
SI-A1125/500-6
SI-A1750/775-4
SI-A3000/1350-2.5
SI-A8000/3600-1.8
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] at/bei IF [A]
Tj = 25°C
<3 6
<4 4
< 6 2.5
< 15
1.8
Leakage current
Sperrstrom
IR [µA] at / bei VRRM
Tj = 25°C
<5
<5
<5
<5
Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
IR [mA] at / bei VRRM
Tj = 150°C
<1
<1
<1
<1
Cascade connection by screwing on top of each other:
Kaskadierbar durch Aufeinanderschrauben:
SI-A 3000/1350-2.5
SI-A 3000/1350-2.5
SI-A 3000/1350-2.5
SI-A 3000/1350-2.5
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG










Скачать PDF:

[ SI-A1750.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
SI-A1750High Voltage Silicon Rectifier DiodesDiotec
Diotec
SI-A1750-775-4High Voltage Silicon Rectifier DiodesDiotec
Diotec

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск