DataSheet26.com

D357 PDF даташит

Спецификация D357 изготовлена ​​​​«INCHANGE» и имеет функцию, называемую «Silicon NPN Power Transistor».

Детали детали

Номер произв D357
Описание Silicon NPN Power Transistor
Производители INCHANGE
логотип INCHANGE логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

D357 Даташит, Описание, Даташиты
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD357
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 100V(Min)
·Good Linearity of hFE
·Complement to Type 2SB527
APPLICATIONS
·Designed for AF high power dirver applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
110 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
100 V
5V
IC Collector Current-Continuous
Collector Power Dissipation
@ Ta=25
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25
TJ Junction Temperature
0.8 A
1
W
10
150
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
isc websitewww.iscsemi.cn
1









No Preview Available !

D357 Даташит, Описание, Даташиты
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 10mA; RBE= ∞
V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage
IC= 1mA; IE= 0
V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage
IE= 1mA; IC= 0
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 0.3A; IB= 30mA
VBE(on) Base-Emitter On Voltage
IC= 50mA; VCE= 4V
ICBO Collector Cutoff Current
VCB= 25V; IE= 0
ICEO Collector Cutoff Current
VCE= 100V; RBE= ∞
IEBO Emitter Cutoff Current
VEB= 5V; IC= 0
hFE DC Current Gain
IC= 0.3A; VCE= 4V
MIN TYP. MAX UNIT
100 V
110 V
5V
1.0 V
0.7 V
10 μA
1 mA
10 μA
55 300
‹ hFE Classifications
CD
E
55-110 90-180 150-300
isc websitewww.iscsemi.cn
2










Скачать PDF:

[ D357.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
D353M3D(D359M3D / D353M3D) 3.5 Compact Floppy Disk DriveMitsumi
Mitsumi
D356AElectroluminescent Lamp Driver ICDurel
Durel
D357Silicon NPN Power TransistorINCHANGE
INCHANGE
D358NPN Transistor - 2SD358ETC
ETC

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск