C61F120 PDF даташит
Спецификация C61F120 изготовлена «ChipON» и имеет функцию, называемую «C61F120». |
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Детали детали
Номер произв | C61F120 |
Описание | C61F120 |
Производители | ChipON |
логотип |
2 Pages
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ChiON
C61F120 产品简介
C61F120 CPU:
• 49条指令,除部分跳转指令外为单周期RISC实现
• 工作速度:
- 振荡器/ 时钟的输入频率为DC~20 MHz
- 指令周期最小为DC~200 ns
• 支持中断处理,6个中断源,8级硬件堆栈
特殊单片机特性:
• 高精度内部振荡器:
- 出厂时精度校准为±1%
-内部固定频率4M
• 低功耗的电源休眠模式
• 工作电压范围(2.0V 到5V)
• 工业级温度范围: -40°C 至 85°C
• 上电复位功能(Power-on Reset, POR)
• 欠压检测功能(Brown-out Detect,BOD)
• 带上拉的主复位,可复用为输入引脚
外设特性:
– 2个通用功能定时器/计数器
– 一个片内模拟比较器
– 内部可编程的参考电压(VDD成比例)
– 具有独立片内振荡器的可编程看门狗定时器
– 引脚电平变化可引发中断及唤醒MCU
ISP 功能
– 在线编程下载功能
I/O 口与封装
• 6 个可编程的I/O 口线:
– 最大驱动能力20mA,
– 独立的可编程弱上拉,
– I/O口具有键盘中断功能
存储器
• 非易失性的程序存储器和数据存储器
– 1K 字节的系统内可编程Flash
– 128字节的EEPROM: 擦写寿命: 1000,000 次
– EEPROM 可经受100 万次写操作
• 可编程代码保护
• 高耐用性闪存/EEPROM单元:
- 闪存可经受10万次写操作
- 闪存/ 数据EEPROM保存时间:>40 年
• 96 字节的片内SRAM
• 8 引脚封装:DIP8/SOIC8/TSSOP-8封装
功耗
• 正常模式:
- 4 MHz, 2V:
典型值200μA
• 掉电模式:
- 2V, 0.5μA
Device
C61F120
Memory
Flash RAM
1K 96
EEPROM
128
I/O
6
ADC
-
CMP
1
8/16 位
定时器
1/1
V0.1 2008
1
Mobile:13530855065 Sales:WILL QQ:759962688
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ChiON
模块框图
POR
BOD
WDT
Power on timer
OSC start-up
timer
timer0
timer1
8M OSC
32K OSC
C61F120 产品简介
1KX16
flash
16
PC
Stack
IR
96B RAM
128B EEPROM
ALU
ACC
CMP1
VREF
PORTA
PA0
PA1
PA2
PA3
PA4
PA5
管脚分配图
DIP/SOIC/TSSOP 管脚图
VDD
PA5/T1CK1/OSC1/CLKIN
PA4/T1G/OSC2/CLKOUT
PA3/MCLR/VPP
订货信息
C61F120
器件封装及说明
DIP-8
SOIC-8
TSSOP-8
VSS
PA0/CIN+/ICSPDAT
PA1/CIN-/ICSPCLK/VREF
PA2/T0CK/INT/COUT
订货号
C61F120-I/P
C61F120-E
C61F120/ST
V0.1 2008
2
Mobile:13530855065 Sales:WILL QQ:759962688
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Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
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