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Número de pieza | A1964 | |
Descripción | Silicon PNP Power Transistor | |
Fabricantes | INCHANGE | |
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isc Silicon PNP Power Transistor
Product Specification
2SA1964
DESCRIPTION
·CollectorEmitter Breakdown Voltage
: V(BR)CEO= 160V(Min)
·Good Linearity of hFE
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SC5248
APPLICATIONS
·Power amplifier applications.
·Driver stage amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO CollectorBase Voltage
160
V
VCEO CollectorEmitter Voltage
160
V
VEBO EmitterBase Voltage
5 V
IC Collector CurrentContinuous
Collector Power Dissipation
@Ta=25℃
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
1.5
A
2
W
20
150 ℃
55~150 ℃
isc website:www.iscsemi.cn
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PDF Descargar | [ Datasheet A1964.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
A1962 | PNP Transistor - 2SA1962 | Fairchild Semiconductor |
A1964 | PNP Transistor - 2SA1964 | ROHM Semiconductor |
A1964 | Silicon PNP Power Transistor | INCHANGE |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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