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PDF A1964 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza A1964
Descripción Silicon PNP Power Transistor
Fabricantes INCHANGE　
Logotipo INCHANGE Logotipo



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No Preview Available ! A1964 Hoja de datos, Descripción, Manual

INCHANGE Semiconductor 
isc Silicon PNP Power Transistor 
Product Specification 
2SA1964 
DESCRIPTION 
·Collector­Emitter Breakdown Voltage­ 
: V(BR)CEO= ­160V(Min) 
·Good Linearity of hFE 
·Wide Area of Safe Operation 
·Complement to Type 2SC5248 
APPLICATIONS 
·Power amplifier applications. 
·Driver stage amplifier applications. 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) 
SYMBOL 
PARAMETER 
VALUE  UNIT 
VCBO  Collector­Base Voltage 
­160 
V 
VCEO  Collector­Emitter Voltage 
­160 
V 
VEBO  Emitter­Base Voltage 
­5  V 
IC  Collector Current­Continuous 
Collector Power Dissipation 
@Ta=25℃ 
PC 
Collector Power Dissipation 
@TC=25℃ 
TJ  Junction Temperature 
Tstg  Storage Temperature 
­1.5 
A 
2 
W 
20 
150  ℃ 
­55~150  ℃
isc website：www.iscsemi.cn 
1 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
A1962PNP Transistor - 2SA1962Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
A1964PNP Transistor - 2SA1964ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
A1964Silicon PNP Power TransistorINCHANGE
INCHANGE

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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