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PDF 2SA1964 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SA1964
Descripción Silicon PNP Power Transistor
Fabricantes INCHANGE　
Logotipo INCHANGE Logotipo



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No Preview Available ! 2SA1964 Hoja de datos, Descripción, Manual

INCHANGE Semiconductor 
isc Silicon PNP Power Transistor 
Product Specification 
2SA1964 
DESCRIPTION 
·Collector­Emitter Breakdown Voltage­ 
: V(BR)CEO= ­160V(Min) 
·Good Linearity of hFE 
·Wide Area of Safe Operation 
·Complement to Type 2SC5248 
APPLICATIONS 
·Power amplifier applications. 
·Driver stage amplifier applications. 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) 
SYMBOL 
PARAMETER 
VALUE  UNIT 
VCBO  Collector­Base Voltage 
­160 
V 
VCEO  Collector­Emitter Voltage 
­160 
V 
VEBO  Emitter­Base Voltage 
­5  V 
IC  Collector Current­Continuous 
Collector Power Dissipation 
@Ta=25℃ 
PC 
Collector Power Dissipation 
@TC=25℃ 
TJ  Junction Temperature 
Tstg  Storage Temperature 
­1.5 
A 
2 
W 
20 
150  ℃ 
­55~150  ℃
isc website：www.iscsemi.cn 
1 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SA1960Silicon NPN EpitaxialHitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
2SA1961Silicon PNP Epitaxial TransistorPanasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
2SA1962SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE TRANSISTORToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
2SA1962SILICON POWER TRANSISTORSavantIC
SavantIC

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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