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PDF TK30A06N1 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza TK30A06N1
Descripción MOSFETs
Fabricantes Toshiba Semiconductor　
Logotipo Toshiba Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! TK30A06N1 Hoja de datos, Descripción, Manual

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)
TK30A06N1
1. Applications
• Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 12.2 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
(2) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 60 V)
(3) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)
3. Packaging and Internal Circuit
TK30A06N1
TO-220SIS
1: Gate
2: Drain
3: Source
1 2012-09-20
Rev.4.0

1 page




TK30A06N1 pdf
8. Characteristics Curves (Note)
TK30A06N1
Fig. 8.1 ID - VDS
Fig. 8.2 ID - VDS
Fig. 8.3 ID - VGS
Fig. 8.4 VDS - VGS
Fig. 8.5 RDS(ON) - ID
Fig. 8.6 RDS(ON) - Ta
5 2012-09-20
Rev.4.0

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
TK30A06N1MOSFETsToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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