C3279 PDF даташит
Спецификация C3279 изготовлена «FGX» и имеет функцию, называемую «NPN silicon». |
|
Детали детали
Номер произв | C3279 |
Описание | NPN silicon |
Производители | FGX |
логотип |
1 Pages
No Preview Available ! |
■■APPLICATION:POWER AMPLIFIER APPLICATION、
SWITCHING APPLICATION.
■■MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
PARAMETER
SYMBOL RATING UNIT
Collector-base voltage
VCBO
30
V
Collector-emitter voltage
VCEO
10
V
Emitter-base voltage
VEBO
6
V
Collector current
IC 2 A
Collector Power Dissipation
PC 750 mW
Junction Temperature
TJ 150 ℃
Storage Temperature Range
Tstg ﹣55~150 ℃
C3279
—NPN silicon —
■■ ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃)
PARAMETER
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT
TEST CONDITION
DC Current Gain
hFE 140
600 VCE= 1V,Ic=500 mA
Collector Cut-off Current
ICBO
0.1 µA VCB=30 V,IE=0
Emitter Cut-off Current
IEBO
0.1 µA VEB= 6V,Ic=0
Collector-Base Breakdown Voltage BVCBO 30
V Ic= 0.1mA,IE=0
Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO 10
V Ic= 10mA,IB=0
Emitter-Base Breakdown Voltage BVEBO 6
V IE= 1mA,Ic=0
Base-Emitter Voltage
VBE
0.86 1.5 V
VCE= 1V,Ic= 2A
Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)
0.2 0.5 V
Ic= 2A,IB= 50mA
Gain bandwidth product
fT
150 MHz Ic= 0.5A,VCE= 1V
Common Base Output Capacitance Cob
27 PF VCB= 10V, IE=0, f = 1MHz
■■hFE Classification
Classification
L
hFE 140~240
M
200~330
N
300~450
P
420~600
http://www.Datasheet4U.com
Скачать PDF:
[ C3279.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
C3271 | NPN Transistor - 2SC3271 | ROHM Semiconductor |
C3271F | NPN Transistor - 2SC3271F | ROHM Semiconductor |
C32725 | BC327-xx | ETC |
C3277 | NPN Transistor - 2SC3277 | Sanyo Semicon Device |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |