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PDF HBU3150A Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | HBU3150A | |
| Descripción | NPN Silicon Transistor | |
| Fabricantes | HuaShan | |
| Logotipo |  |
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汕头华汕电子器件有限公司
NPN SILICON TRANSISTOR
HBU3150A
对应国外型号
BU3150
█ 主要用途
电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。
█ 极限值（Ta=25℃）
Tstg——贮存温度………………………………… -65~150℃
Tj——结温…………………………………………… 150℃
PC——集电极耗散功率（Tc=25℃）………………………… 40W
VCBO——集电极—基极电压…………………………… 1000V
VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 530V
VEBO——发射极—基极电压…………………………………… 9V
IC——集电极电流（DC）……………………………………… 1.5A
IC——集电极电流（脉冲）…………………………………… 3A
█ 外形图及引脚排列
TO-220
1―基 极，B
2―集电极，C
3―发射极，E
█ 电参数（Ta=25℃）
参数符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICEO
ICES
IEBO
HFE
符号说明
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—发射极截止电流
集电极—发射极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
VCE(sat）
VBE(sat）
tSTG
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极饱和电压
贮存时间
最小值
1000
530
9
12
15
6
2
典型值
最大值
100
10
10
40
1
1.4
6
单位
V
V
V
μA
μA
μA
V
V
μS
测试条件
IC=1mA，IE=0
IC=5mA，IB=0
IE=1mA，IC=0
VCE=500V，IB=0
VCB=920V，IE=0
VEB=9V, IC=0
VCE=10V, IC=1mA
VCE=10V, IC=0.4A
VCE=10V, IC=1A
IC=1A, IB=0.25A
IC=1A, IB=0.25A
VCC=5V, IC=0.5A(UI9600)
http://www.Datasheet4U.com
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| HBU3150A | NPN Silicon Transistor | HuaShan |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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