DataSheet26.com

EB13009 PDF даташит

Спецификация EB13009 изготовлена ​​​​«WEIFANG HUICHUAN» и имеет функцию, называемую «Case rated low frequency amplification bipolar transistor».

Детали детали

Номер произв EB13009
Описание Case rated low frequency amplification bipolar transistor
Производители WEIFANG HUICHUAN
логотип WEIFANG HUICHUAN логотип 

1 Pages
scroll

No Preview Available !

EB13009 Даташит, Описание, Даташиты
WEIFANG HUICHUAN ELECTRONIC CO.,LTD.
低频放大管壳额定双极型晶体管 13009
EB13009
1、概述与特点
13009 NPN 型三极管,用作电子镇流器、电子节能灯的功率开关管,是其核心器件。其特点如下:
开关损耗低。可靠性高。
高温特性好。
TO-220
合适的开关速度。
击穿电压高,反向漏电小。
封装形式:TO-220
2、电特性
2.1 极限值
除非另有规定,Ta=25
参 数名称
符 号 额定值 单 位
集电极-发射极电压
VCEO
400
V
集电极-基 极电压
VCBO
700
V
发射极-基 极电压
集电极电流
VEBO
Ic
9
12
V
A
耗散功率
Ptot 2
W
结温
贮存温度
Tj 150
Tstg -55-150
BCE
2.2 电参数
除非另有规定,Ta=25
参数名称
符号
测试条件
规范值
最小 典型 最大
单位
集电极-基极截止电流
ICBO VCB=700V, IE=0
0.1 mA
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=400V, IC=0
0.1 mA
发射极-基极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
0.1 mA
集电极-基极电压
VCBO
IC=0.1mA
700
V
集电极-发射极电压
VCEO
IC=0.1mA
400
V
发射极-基极电压
共发射极正向电流传输比的静
VEBO
hFE
IE=0.1mA
VCE=5V, IC=2A
9
10
V
40
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
VCE
a
sat
VBE
a
sat
IC=8A, IB=1.6A
IC=8A, IB=1.6A
1.2 V
1.5 V
贮存时间
ts UI9600,IC=0.5A
8 μs
征频
a: 脉冲测试tp300μs,δ2%
fT
VCE=10V, IC=1A
f=1MHz
5
MHz
地址:安丘市经济开发区
潍坊市汇川电子有限公司
电话:0536-4930586
传真:0536-4930589
Free
Datashee










Скачать PDF:

[ EB13009.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
EB13001TransistorsSY
SY
EB13003TRANSISTORSShenzhen
Shenzhen
EB13005TransistorsSY
SY
EB13009Case rated low frequency amplification bipolar transistorWEIFANG HUICHUAN
WEIFANG HUICHUAN

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск