HK1235 PDF даташит
Спецификация HK1235 изготовлена «ETC» и имеет функцию, называемую «HK1235». |
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Детали детали
Номер произв | HK1235 |
Описание | HK1235 |
Производители | ETC |
логотип |
3 Pages
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HK1235 使用说明书
一. 引脚 排列
PIN 排列
A14 1
A1 2
28
27
A3
26
A4
25
A5
24
A6
23
A7
22
A8
21
A9
20
A 10
19
DQ 11
18
DQ 12
17
DQ 13
16
GN 14
15
Vcc
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
PIN 描述
A0-A14 -Address input
CE -Chip Enable(Low Enable)
GND -Ground
DQ0- -Data In/Out
Vcc -Power (+5V)
WE -WriteEnable(LowEnable)
OE -OutputEnable(LowEnable)
NC -No Connect
二. 读取 模式
HK1235 在 WE(写使能)被禁止(high)且 CE(片选)被选中(Low)并
且 OE(读信号)被使能(Low)执行一次读循环。15 个地址输入线(A0-A14)
指定的唯一的地址定义将要被访问。最后输入信号稳定后 8 位数据输出驱动
器将在 tACC 时序内得到有效数据。
三、写模式
地址输入稳定后,HK1235 在 WE 和 CE 信号处于激活(低电平)状态为
写 模式。最后出现的 CE 或 WE 下降沿将决定写循环的开始,写循环
终止于 CE 或 WE 前边的上升边沿。在写循环内所有地址输入必须保持
有效。在下 一个循环能被初始化前,WE 写信号必须将高电平保持最少记
录时间(tWR). 写循环期间 OE 控制信号应当保持失效(高电平),避免总线
冲突,如果输 出总线已经有效(CE 和 OE 激活),则写信号可以在 tODW
时序内从下降边 沿开始禁止输出。
四、数据保存模式
HK1235 为 Vcc 提供全部功能,当 VCC 大于 4.5 伏或 4.75 伏,写保护为
4.35
伏或 4.75 伏。当 Vcc 掉电时保存数 据,没有 任何附加 支持电 路的
需 要。 HK1235 通常监视 Vcc。如果电源电压降低,RAM 自动写保护
其本身。所 有对 RAM 的输入变为“不接收”,所有输出为高电阻。当 Vcc
降低到大约3.0 伏时,电源转换电路将用锂电源向 RAM 供电保存数据。
电压升高时, 当 Vcc 升高到大约 3.0 伏时,电压转换电路将外部 Vcc
与 RAM 连接。正常 RAM 操作在 Vcc 超过 4.5 伏或 4.75 伏后能够重
新开始。
五、出厂状态及运输
HK1235 从半导体出厂均保证满电量。运输及使用中的重力加速度不应 超出 1.5G 否
则影响寿命。
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六、验收及服务
本产品验收期为 1 个月即自客户得到本产品后对以下各项性能指标进
行验 收,如果异议应在 1 个月内提出更换或退货。质量保证期即服务期
为一年, 如产品在一年内非使用问题而产生的产品质量问题并且未经
使用损坏的经 我公司检验认可可以给予更换。我公司拥有对以上条款的
最终解释权。
七、各项指标
① 最大范围
各脚对地电压
-0.3~5.0V
储存温度
-40℃~70℃
焊接温度
200℃不能超过 5 秒
操作温度
0℃~55℃ 准工业级 0℃
~70℃ 工业级-40℃~70℃
注:长期暴露在工作在以上最大范围下将影响使用周期
②推荐操作条件
PARAMETER
(0℃to70℃)
SYMBOL MIN TYP MAX
UNITS
Power Supply Voltage 1(HK1235)
Vcc 4.5 5.0 5.5 V
Power Supply Voltage 1(HK1235N)
Logic1
Logic0
Vcc
VIH
VIL
4.75 5.0 5.5 V
2.2 — Vcc V
0.0 — +0.8 V
③直流特性
(0℃to70℃;Vcc=5V±10%)
PARAMETER
SYMBOL MIN TYP MAX UNITS
Input Leakage Current
I/O Leakage Current
CE≤VIH≤Vcc
Output Current @2.4V
Output Current @0.4V
Standby Current CE=2.2V
Standby Current CE=Vcc-0.5V
Operating Current
Write Protection Voltage 1(HK1235)
Write Protection Voltage 2(HK1235N)
IIL
IIO
IOH
IOL
ICCS1
ICCS2
ICCO1
VTP
VTP
-5.0 — ﹢5.0
-5.0 — ﹢5.0
-1.0
2.0
—
—
—
4.25
4.5
—
—
5.0
3.0
5
4.37
4.75
—
—
10.0
5.0
85
4.5
4.85
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
④读写电特性
PARAMETER
Read Cycle Time
Access Time
OE to Output Valid
OE to Output Valid
OE or CE Output Active
Output High Z from Dissection
Output Hold from dress Change
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Address Setup Time
Write Recovery Time
Output High Z from WE
Output Active from WE
Data Setup Time
Data Hold Time
⑤建议电源上下电时间
SYM
tRC
tACC
tOE
tCO
tCOE
tOD
tOH
tWC
tWP
tAW
tWR1
tWR2
tODW
tOEW
tDS
tDH1
tDH2
(0℃to70℃;Vcc=5V±10%)
HK1235-70 HK1235-85
MIN MAX MIN MAX
70 — 85 —
— 70 — 85
— 35 — 45
— 70 — 85
5— 5—
HK1235-100
MIN MAX
100 —
— 100
— 50
— 100
5—
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
NOTE
S
—
—
—
—
5
— 25 — 30 — 35 ns
5
5— 5—
5
— ns —
70 — 85 — 100
—
ns
—
55 — 65 — 75 — ns
3
0— 0—
0
— ns —
55
5
ns
15 — 15 —
15
—
— 25 — 30 — 35 ns
5— 5—
5
— ns
30 — 35 — 40 — ns
0
10
—
0
10
—
0
10
—
ns
5
5
4
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SYM
tPD
tF
tR
tREC
PARAMETER
CE at VIH before Power-Down
Vcc Slew from 4.5v to 0v(CE at VIH)
Vcc Slew from 0v to 4.5v(CE at VIH)
CE WE at VIH after Power-Up
(TA=25℃)
SYM PARAMETER
t DR Expected Data Retention Time
MIN
—
MIN MAX UNITS NOTE
10 —
µs
—
300 —
µs
—
0 20
µs
—
20 125
m
—
TYP MAX
10 —
UNITS NOTE
years 9,10
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Номер в каталоге | Описание | Производители |
HK1235 | HK1235 | ETC |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
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