DataSheet26.com

MJE13009 PDF даташит

Спецификация MJE13009 изготовлена ​​​​«KEC» и имеет функцию, называемую «TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR».

Детали детали

Номер произв MJE13009
Описание TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
Производители KEC
логотип KEC логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

MJE13009 Даташит, Описание, Даташиты
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
SWITCHING REGULATOR APPLICATION.
HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATION.
HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATION.
FEATURES
Excellent Switching Times
: ton=1.1 S(Max.), tf=0.7 S(Max.), at IC=8A
High Collector Voltage : VCBO=700V.
MJE13009
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
VCBO
VCEO
Emitter-Base Voltage
VEBO
Collector Current
DC
Pulse
IC
ICP
Base Current
Collector Power Dissipation
(Tc=25 )
Junction Temperature
IB
PC
Tj
Storage Temperature Range
Tstg
RATING
700
400
9
12
24
6
100
150
-55 150
UNIT
V
V
V
A
A
W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Collector Output Capacitance
Transition Frequency
IEBO
hFE(1) (Note)
hFE(2)
VCE(sat)
VBE(sat)
Cob
fT
VEB=9V, IC=0
VCE=5V, IC=5A
VCE=5V, IC=8A
IC=5A, IB=1A
IC=8A, IB=1.6A
IC=12A, IB=3A
IC=5A, IB=1A
IC=8A, IB=1.6A
VCB=10V, f=0.1MHz, IE=0
VCE=10V, IC=0.5A
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
ton 300µS
OUTPUT
IB1
INPUT
tstg
IB1
IB2 IB2
tf
IB1=IB2 =1.6A
DUTY CYCLE <= 2%
VCC =125V
Note : hFE Classification O:14 28
MIN.
-
14
6
-
-
-
-
-
-
4
TYP.
-
-
-
-
-
-
-
-
180
-
MAX.
1
28
-
1
1.5
3
1.5
1.6
-
-
UNIT
mA
V
V
pF
MHz
-
- 1.1
S
--3
S
-
- 0.7
S
2008. 3. 26
Revision No : 1
1/2
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/









No Preview Available !

MJE13009 Даташит, Описание, Даташиты
MJE13009
2008. 3. 26
Revision No : 1
2/2
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/










Скачать PDF:

[ MJE13009.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
MJE13001TransistorsSI Semiconductors
SI Semiconductors
MJE13001NPN Epitaxial Silicon TransistorUnisonic Technologies
Unisonic Technologies
MJE13001-QNPN SILICON TRANSISTORUnisonic Technologies
Unisonic Technologies
MJE13001AHTRANSISTORSSI Semiconductors
SI Semiconductors

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск