DataSheet26.com

2SA1265N PDF даташит

Спецификация 2SA1265N изготовлена ​​​​«Inchange Semiconductor» и имеет функцию, называемую «POWER TRANSISTOR».

Детали детали

Номер произв 2SA1265N
Описание POWER TRANSISTOR
Производители Inchange Semiconductor
логотип Inchange Semiconductor логотип 

4 Pages
scroll

No Preview Available !

2SA1265N Даташит, Описание, Даташиты
Inchange Semiconductor
Silicon PNP Power Transistors
DESCRIPTION
·With TO-3P(I) package
·Complement to type 2SC3182
·2SA1265 with short pin
APPLICATIONS
·Power amplifier applications
PINNING
PIN
1
2
3
DESCRIPTION
Emitter
Collector;connected to
mounting base
Base
Product Specification
2SA1265N
Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol
Absolute maximum ratings(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VCBO
Collector-base voltage
Open emitter
VCEO
Collector-emitter voltage
Open base
VEBO
Emitter-base voltage
Open collector
IC Collector current
IBB Base current
PT Total power dissipation
TC=25
Tj Junction temperature
Tstg Storage temperature
VALUE
-140
-140
-5
-10
-1
100
150
-55~150
UNIT
V
V
V
A
A
W
www.DataSheet4U.com









No Preview Available !

2SA1265N Даташит, Описание, Даташиты
Inchange Semiconductor
Silicon PNP Power Transistors
CHARACTERISTICS
Tj=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-50mA ,IB=0
VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-7A; IB=-0.7A
VBE Base-emitter voltage
IC=-5A ; VCE=-5V
ICBO Collector cut-off current
IEBO Emitter cut-off current
hFE-1
DC current gain
VCB=-140V; IE=0
VEB=-5V; IC=0
IC=-1A ; VCE=-5V
hFE-2
DC current gain
IC=-5A ; VCE=5V
fT Transition frequency
IC=-1A ; VCE=-5V
Cob Output capacitance
IE=0 ; VCB=10V ;f=1MHz
‹ hFE-1 Classifications
RO
55-110
80-160
Product Specification
2SA1265N
MIN TYP. MAX UNIT
-140
V
-0.8 -2.0 V
-1.0 -1.5 V
-5 μA
-5 μA
55 160
35
30 MHz
480 pF
2









No Preview Available !

2SA1265N Даташит, Описание, Даташиты
Inchange Semiconductor
Silicon PNP Power Transistors
PACKAGE OUTLINE
Product Specification
2SA1265N
Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm)
3










Скачать PDF:

[ 2SA1265N.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
2SA1265Silicon PNP Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SA1265Power Amplifier ApplicationsToshiba
Toshiba
2SA1265Trans GP BJT PNP 140V 10ANew Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
2SA1265NSILICON POWER TRANSISTORSavantIC
SavantIC

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск