DataSheet26.com

3N163 PDF даташит

Спецификация 3N163 изготовлена ​​​​«Micross» и имеет функцию, называемую «High Speed Switch».

Детали детали

Номер произв 3N163
Описание High Speed Switch
Производители Micross
логотип Micross логотип 

1 Pages
scroll

No Preview Available !

3N163 Даташит, Описание, Даташиты
3N163
P-CHANNEL MOSFET
The 3N163 is an enhancement mode P-Channel Mosfet
The 3N163 is an enhancement mode P-Channel Mosfet
designed for use as a General Purpose amplifier or
switch
FEATURES 
DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL 3N163 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 
The hermetically sealed TO-72 package is well suited
for high reliability and harsh environment applications.
@ 25°C (unless otherwise noted) 
Maximum Temperatures 
Storage Temperature 
65°C to +200°C 
(See Packaging Information).
Operating Junction Temperature 
55°C to +150°C 
Maximum Power Dissipation 
3N163 Features:
ƒ Very high Input Impedance
ƒ Low Capacitance
ƒ High Gain
ƒ High Gate Breakdown Voltage
ƒ Low Threshold Voltage
Continuous Power Dissipation  
MAXIMUM CURRENT
Drain Current 
MAXIMUM VOLTAGES 
Drain to Gate 
Drain to Source 
Peak Gate to Source2
375mW 
50mA 
40V 
40V 
±125V 
3N163 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL 
CHARACTERISTIC 
MIN  TYP. 
MAX 
UNITS 
CONDITIONS 
IGSSF 
Gate Forward Current  
10  ‐‐ 
‐‐ 
pA 
VGS = ‐40V,   VDS = 0V 
 
TA= +125°C 
‐‐ 
‐‐ 
25 
BVDSS 
BVSDS 
VGS(th) 
Drain to Source Breakdown Voltage 
SourceDrain Breakdown Voltage 
Gate to Source Threshold Voltage 
40 
40 
2.0 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
‐‐ 
5.0 
 
 
V 
ID = ‐10µA,   VGS = 0V 
IS = ‐10µA, VGD = 0V,  VBD = 0V 
VDS =  VGS ,    ID = ‐10µA 
2.0  ‐‐ 
5.0 
VDS = ‐15V,   ID = ‐10µA 
VGS 
Gate Source Voltage 
3.0  ‐‐ 
6.5 
VDS = ‐15V,   ID = ‐0.5mA 
IDSS  Drain Leakage Current “Off”  ‐‐  ‐‐  200 
pA 
VDS = ‐15V,   VGS = 0V 
ISDS 
Source Drain Current 
‐‐  ‐‐  400 
VDS = 15V,   VGS =  VDB = 0V 
rDS(on) 
ID(on) 
gfs 
gos 
ClickCiss 
Drain to Source “On” Resistance 
Drain Current “On” 
Forward Transconductance 
Output Admittance 
 Input Capacitance–Output shorted 
‐‐ 
5.0 
2000 
‐‐ 
‐‐ 
Crss 
Reverse Transfer Capacitance 
‐‐ 
To‐‐  250 
‐‐  ‐30 
‐‐  4000 
‐‐  250 
‐‐  2.5 
‐‐  0.7 
BuyΩ  VGS = ‐20V,   ID = ‐100µA 
mA  VDS = ‐15V,  VGS = ‐10V 
µS  VDS = ‐15V,    ID = ‐10mA ,   f = 1kHz 
  
pF  VDS = ‐15V,    ID = ‐10mA ,   f = 1MHz3 
Coss  Output Capacitance Input Shorted  ‐‐  ‐‐  3.0 
SWITCHING CHARACTERISTICS  ‐ TA = 25°C  and  VBS = 0 unless otherwise noted                                                              TIMING WAVEFORMS 
SYMBOL 
CHARACTERISTIC 
MAX  UNITS  CONDITIONS 
td(on) 
tr 
toff 
Turn On Delay Time 
Turn On Rise Time 
Turn Off Time 
12   
VDD = ‐15V 
24 
50 
ns  RIGD =(o nR) L= = ‐ 110.4mKAΩ 3      
  
                                  SWITCHING TEST CIRCUIT 
 
 
Micross Components Europe
Note 1 ‐ Absolute maximum ratings are limiting values above which 3N163 serviceability may be impaired. 
Note 2  Device must not be tested at ±125V more than once or longer than 300ms. 
Note 3  For design reference only, not 100% tested
Available Packages:
TO-72 (Bottom View)
3N163 in TO-72
3N163 in bare die.
Tel: +44 1603 788967
Web: http://www.micross.com/distribution
Please contact Micross for full
package and die dimensions
Information furnished by Linear Integrated Systems and Micross Components is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed
for its use; nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise
under any patent or patent rights of Linear Integrated Systems.
Micross Components Ltd, United Kingdom, Tel: +44 1603 788967, Fax: +44 1603788920, Email: [email protected] Web: www.micross.com/distribution.aspx










Скачать PDF:

[ 3N163.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
3N161DIODE PROTECTED P-CHANNEL ENGANCEMENT MODE MOSFET GENERAL PUROPSE AMPLIFIER/SWITCHIntersil Corporation
Intersil Corporation
3N163P-CHANNEL ENHANCEMENT MODELinear Integrated Systems
Linear Integrated Systems
3N163High Speed SwitchMicross
Micross
3N163Trans MOSFET P-CH 40V 0.05A 4-Pin TO-72New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск