DataSheet26.com

MIP2E4D PDF даташит

Спецификация MIP2E4D изготовлена ​​​​«Matsushita» и имеет функцию, называемую «High-Performance IPD for Battery Chaegers».

Детали детали

Номер произв MIP2E4D
Описание High-Performance IPD for Battery Chaegers
Производители Matsushita
логотип Matsushita логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

MIP2E4D Даташит, Описание, Даташиты
I
(MIP022X)
IPD
I
G(
12 V/3 A
: 100 VAC
0.3 W
: 100 VAC
G IPD
(MIP022X)
MIP022X
G
IPD
IPD
PWM
60 W
: 1/20)
; 70 mW,
; 70 ,
264 VAC
264 VAC
; 130 mW
; 60
IPD
I
MIP2E1D
MIP2E2D
MIP2E3D
MIP2E4D
MIP2E5D
MIP2E7D
7W
10 W
10 W 20 W
15 W 30 W
20 W 40 W
40 W 60 W
VDSS
700 V
MOS FET
ILIMIT
fOSC
0.4 A
0.5 A
1.0 A
1.5 A
TO-220-A1/
DIP8-A1(CF)
100 kHz
2.0 A
TO-220-A1
3.0 A
IPD
MIP0222
MIP0223
MIP0224
MIP0225
MIP0227
I
LINE
L1
10 mH
1A
NTRL C1
0.1 µF
250 VAC
CSB
0.0 1µF
D2 630 V
CIN
BR1 120 µF
600 V 400 V
1.5 A
DSB
IC1
MIP2E
R3 C6
33 390 pF
0.5W 500 V
L2
10 µH
4A
RSB
100 k
2W
D2
200 V, 5 A
COUT1
470 µF
25 V
R4
47
PC1
R5
2.2 k
R7
39 k
COUT2
180 µF
25 V
CT
47 µF
C2 R1
0.1 µF 6.2
T1
PC
D1 CNC1S101
(ON3131)
R2 6.2
C3
1 µF
C4 C5
2200 pF 2200 pF
250 VAC 250 VAC
R6
10 k
IC
AN1431
C7 0.1µF
R8
10 k
12 V/3 A
RETURN
617-8520
M00372CJ
TEL (075) 951-8151 (
) http://www.panasonic.co.jp/semicon/









No Preview Available !

MIP2E4D Даташит, Описание, Даташиты
I
100
80
60
40
2
0
0
( 12 V/3 A
η vs PO
MIP2E5D
MIP2E5D
MIP0225 (
MIP0225 (
100 V
264 V
) 100 V
) 264 V
5 10 15 20 25 30 35 40
PO (W)
)
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
0.5
Pin vs PO
MIP2E5D
MIP2E5D
MIP0225 (
MIP0225 (
100 V
264 V
) 100 V
) 264 V
1 1.5 2 2.5 3
PO (W)
100 VAC
0.3 W
30 W
264 VAC
0.3 W
30 W
I ( : mm)
DIP8-A1(CF)
9.4±0.3
87
5
MIP2E5D
69.8
83.1
60.0
84.3
(%)
MIP0225(
42.9
83.8
24.6
84.0
MIP2E5D
0.07
0.43
36.1
0.12
0.5
35.6
(W)
MIP0225(
0.35
0.7
35.8
1.08
1.22
35.7
TO-220-A1
10.5±0.5
9.5±0.2
8.0±0.2
4.5±0.2
1.4±0.1
1234
2.54±0.25
1.2±0.25
(2,3,7PIN)
0.5±0.1
0.4±0.1
0.6±0.1
(1,4,5,8PIN)
1, 2, 3, 7, 8 : Source
4 : Control
5 : Drain
φ 3.7±0.2
1.4±0.1
0.8±0.1
2.54±0.3
5.08±0.5
123
2.5±0.2
0.6+–00..21
1 : Control
2 : Source
3 : Drain










Скачать PDF:

[ MIP2E4D.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
MIP2E4DHigh-Performance IPD for Battery ChaegersMatsushita
Matsushita
MIP2E4DMYSilicon MOS type integrated circuitPanasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск