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PDF NTE477 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE477 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor RF Power Output | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE477
Silicon NPN Transistor
RF Power Output
Description:
The NTE477 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in VHF
band mobile radio applications.
Features:
D High power gain: Gpe ≥ 8.2dB @ VCC = 13.5V; VO = 40W; t = 175MHz
D Emitter ballasted construction and gold metallization for high reliability, and good performances
D Low thermal resistance ceramic package with flange
D Ability of withstanding more than 20:1 load VSWR when operated at VCC = 15.2V,
PO = 40W, f = 175MHz, TC = 25°C
Applications:
30 to 35 watts output power amplifiers in VHF band mobile radio applications.
Absolute Maximum Ratings: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Collector–Emitter Voltage (RBE = ∞), VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Collector Dissipation, PC
TA = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5W
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75W
Junction Temperature, Tj . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33.3°C/W
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Collector–Emitter Breakdown Voltage
V(BR)EBO IE = 10mA, IO = 0
V(BR)CBO IO = 10mA, IE = 0
V(BR)CEO IO = 0.1A, RBE = ∞
Min Typ Max Unit
3––V
35 – – V
17 – – V
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE47 | Silicon NPN Transistor High Gain / Low Noise Amp | NTE |
| NTE470 | Silicon NPN Transistor RF Power Output | NTE |
| NTE471 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 100W @ 30MHz | NTE |
| NTE472 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 1.8W @ 175MHz | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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