|
IRF840 PDF даташит
| Спецификация IRF840 изготовлена «Samsung semiconductor» и имеет функцию, называемую «500V, 8A, N-CHANNEL POWER MOSFET». |
|
|
Детали детали
| Номер произв | IRF840 |
| Описание | 500V, 8A, N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Производители | Samsung semiconductor |
| логотип |  |
5 Pages
No Preview Available ! |
No Preview Available ! |
No Preview Available ! |
Скачать PDF:
[ IRF840.PDF Даташит ]
| Номер в каталоге | Описание | Производители |
| IRF840 | 500V, 8A, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |  Motorola Inc |
| IRF840 | 8A, 500V, N-Channel MOSFET, Transistor |  NXP Semiconductors |
| IRF840 | N - CHANNEL 500V - 0.75ohm - 8A - TO-220 PowerMESH] MOSFET |  STMicroelectronics |
| IRF840 | 500V, 8A, N-CHANNEL POWER MOSFET | Samsung semiconductor |
| Номер в каталоге | Описание | Производители |
| TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
 Unisonic Technologies |
| IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
 Vishay |
| LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
|
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |