D126A PDF даташит
Спецификация D126A изготовлена «ETC» и имеет функцию, называемую «Power Rectifier Diodes». |
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Детали детали
Номер произв | D126A |
Описание | Power Rectifier Diodes |
Производители | ETC |
логотип |
4 Pages
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European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Leistungsgleichrichterdioden
Power Rectifier Diodes
D 126 A
15
5,5
SW27
M12
Typ
D126A
D126B
Sc halt -
symbol
Kathode
Anschluß-
lasche
Gehäuse-
boden
Anode
Gehäuse-
boden
Anschluß-
lasche
VW K July 1996
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D 126 A 45
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Höchstzulässige Werte
Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
Stoßsperrverlustleistung
surge reverse power dissipation
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I2 t-value
tvj = -40°C... t vj max
tvj = 25 °C, t w = 20 µs
tc = 100 °C
tc = 35 °C
tvj = 25°C, t p = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
tvj = 25°C, t p = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Sperrstrom
Durchbruchspannung
Characteristic values
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
reverse current
breakdown voltage
tvj = tvj max, iF = 600 A
tvj = tvj max
tvj = tvj max
tvj = tvj max, VR = VRRM
tvj = +25 °C... t vj max
Thermische Eigenschaften
Innerer Widerstand
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
Thermal properties
thermal resistance, junction
Θ = 180° sin
to case
DC
thermal resistance,case to heatsink
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Anzugsdrehmoment
Gewicht
Kriechstrecke
Feuchteklasse
Schwingfestigkeit
Maßbild
Polarität
Mechanical properties
Si-pellet with pressure contact
tightening torque
weight
creepage distance
humidity classification
vibration resistance
outline
polarity
∅ = 21 mm
Gehäuseform/case design C
DIN 40040
f = 50 Hz
VRRM
PRSM
IFRMSM
IFAVM
IFSM
I2 t
VT
VT(TO)
rT
iR
V(BR)
RthJC
RthCK
tvj max
tc op
tstg
M
G
4500 V
10 kW
315 A
126 A
200 A
2,95 kA
2,3
43,5
26,45
kA
kA2s
kA2s
max.
max.
min.
2,8
0,86
3,2
30
4,8
V
V
mΩ
mA
kV
max.
0,257 °C/W
max.
0,250 °C/W
max.
0,04 °C/W
160 °C
-40...+160 °C
-40...+160 °C
20 Nm
typ. 110 g
25 mm
C
50 m/s2
Seite/page
Anode=Gehäuse/case
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D 126 A
800
1,0
700
i F[A]
600
500
0,9
⌠⌡i²dt
(normiert)
0,8
400
0,7
300
0,6
200
100 0,5
0 0,5
1,0
1,5 2,0 2,5
3,0 3,5
D126A_1
v F [V]
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
D126A_4
tp[ms]
Bild/Fig. 1
Grenzdurchlaßkennlinie
Limiting forward characteristic iF = f (vF)
tvj = 160 °C
tvj = 25 °C
Bild / Fig. 2
Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i²t
∫i²dt = f(tp)
3
IF(0V)M
[kA]
2
1
II
F(0V)M
3
vR
IF(0V)M
[kA]
2
1a +1b
2a +1c
2b
2c
1
II
F(0V)M
vR
1a+ 1b
+ 1c
2a
2b
2c
0
D126A_5
0,1
0,2
t [s]
0,3
Bild / Fig. 3
Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t)
1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C
2 - IFAV(vor) = 126 A; tC = 100 °C; tvj = 160 °C
a - vR ≤ 50 V
b - vR = 0,5 VRRM
c - vR = 0,8 VRRM
0
0
D126A_6
0,1
0,2
t [s]
0,3
Bild / Fig. 4
Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t)
1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C
2 - IFAV(vor) = 126 A; tC = 100 °C; tvj = 160 °C
a - vR ≤ 50 V
b - vR = 0,5 VRRM
c - vR = 0,8 VRRM
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Номер в каталоге | Описание | Производители |
D1260 | METAL GATE RF SILICON FET | Seme LAB |
D1260UK | METAL GATE RF SILICON FET | Seme LAB |
D1262 | NPN Transistor - 2SD1262 | Panasonic |
D1262A | NPN Transistor - 2SD1262A | Panasonic |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
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