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PDF F0118J Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | F0118J | |
| Descripción | GaAs Infrared Emitting Diode | |
| Fabricantes | OSRAM | |
| Logotipo |  |
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GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge)
GaAs Infrared Emitting Diode(950 nm, 12 mil)
F 0118J
Vorläufige Daten / Preliminary data
Wesentliche Merkmale
• Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im
Topled® Gehäuse.
• Chipgröße 300 x 300 µm2
• GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Hohe Zuverlässigkeit
• Hohe Impulsbelastbarkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• Vorderseitenmetallisierung: Aluminium
Rückseitenmetallisierung: Goldlegierung
Anwendungen
• IIR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-
und Videogeräten, Lichtdimmern
• Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Lichtschranken bis 500 kHz
• Sensorik
Features
• Typ. total radiant power: 22 mW @ 100 mA in
Topled® package.
• Chip size 300 x 300 µm2
• Very highly efficient GaAlAs LED
• High reliability
• High pulse handling capability
• Good spectral match to silicon
photodetectors
• Frontside metallization: aluminum
Backside metallization: gold alloy
Applications
• IR remote control for hifi and TV sets, video
tape recorder, dimmers
• Remote control for steady and varying
intensity
• Light-reflection switches (max. 500 kHz)
• Sensor technology
Typ
Type
F 0118J
Bestellnummer
Ordering Code
Q67220-C1350
Beschreibung
Description
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluss
Rückseite AuGe Eutektikum
Infrared emitting die, top side anode connection
Backside AuGe eutectic alloy
2002-02-21
1
1 page  
Relative Spectral Emission2) Ιrel = f (λ)
TA = 25 °C
100
OHRD1938
%
Ι rel
80
60
40
F 0118J
Radiant
Intensity2)
Ιe
Ιe
100
mA
=
f
(IF)
Single pulse, TA = 25 °C,tp = 20 µs
10 2
A
Ιe
Ι e 100 mA
10 1
OHR01551
10 0
20 10 -1
0
880 920 960 1000 nm 1060
λ
Permissible Pulse Handling
Capability2) IF = (τ), TA = 25 °C
duty cycle D = parameter
10 4
Ι F mA
5
D
=
tp
T
D = 0.005
tp
T
0.01
0.02
10 3 0.1
0.05
0.2
5
OHR00860
ΙF
0.5
10 2 DC
10 -5 10 -4 10 -3 10 -2
10 -1 10 0
10 1 s 10 2
tp
2002-02-21
10 -2
10 -3 10 -2 10 -1
Forward Current2) , IF = f (VF)
Single pulse, tp = 20 µs,TA = 25 °C
10 0 A
ΙF
10 1
10 1
ΙF A
OHR01554
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
0 12 3 4 5 6V 8
VF
5
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| F0118G | GaAs Infrared Emitting Diode | OSRAM |
| F0118J | GaAs Infrared Emitting Diode | OSRAM |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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