|
SC721 PDF DatasheetСпецификация SC721 изготовлена «Polyfet RF Devices» и имеет функцию, называемую «SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR». На этой странице представлена подробная информация о характеристиках и технических характеристиках детали. Если вы правильно понимаете эти части, они могут помочь вам завершить ваши проекты и отремонтировать детали. |
|
|
Детали детали
| Номер произв | SC721 |
| Описание | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| Производители | Polyfet RF Devices |
| логотип |  |
2 Pages
No Preview Available ! |
polyfet rf devices
SC721
General Description
Silicon VDMOS and LDMOS
transistors designed specifically
for broadband RF applications.
Suitable for Militry Radios,
Cellular and Paging Amplifier Base
Stations, Broadcast FM/AM, MRI,
Laser Driver and others.
TM
"Polyfet" process features
low feedback and output capacitances
resulting in high F t transistors with high
input impedance and high efficiency.
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE
RF POWER VDMOS TRANSISTOR
15.0 Watts Single Ended
Package Style AC
HIGH EFFICIENCY, LINEAR
HIGH GAIN, LOW NOISE
Total
Device
Dissipation
60 Watts
Junction to
Case Thermal
Resistance
o
2.80 C/W
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( T = 25 oC )
Maximum
Junction
Temperature
200 oC
Storage
Temperature
oo
-65 C to 150 C
DC Drain
Current
6.0 A
Drain to
Gate
Voltage
50 V
Drain to
Source
Voltage
50 V
Gate to
Source
Voltage
20 V
RF CHARACTERISTICS ( 15.0 WATTS OUTPUT )
SYMBOL PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS TEST CONDITIONS
Gps Common Source Power Gain
η Drain Efficiency
8
60
dB Idq = 0.20 A, Vds = 12.5 V, F = 400MHz
% Idq = 0.20 A, Vds = 12.5 V, F = 400 MHz
VSWR Load Mismatch Tolerance
20:1 Relative Idq = 0.20 A, Vds = 12.5 V, F = 400MHz
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( EACH SIDE )
SYMBOL PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS TEST CONDITIONS
Bvdss
Idss
Drain Breakdown Voltage
Zero Bias Drain Current
40 V Ids = 20.00 mA, Vgs = 0V
1.0 mA
Vds = 12.5 V, Vgs = 0V
Igss Gate Leakage Current
1 uA
Vds = 0V Vgs = 30V
Vgs Gate Bias for Drain Current
1
7V
Ids = 0.10 A, Vgs = Vds
gM Forward Transconductance
1.3 Mho Vds = 10V, Vgs = 5V
Rdson Saturation Resistance
0.60
Ohm
Vgs = 20V, Ids = 3.50 A
Idsat
Saturation Current
9.50 Amp Vgs = 20V, Vds = 10V
Ciss Common Source Input Capacitance
45.0 pF Vds = 12.5 Vgs = 0V, F = 1 MHz
Crss
Common Source Feedback Capacitance
3.5 pF Vds = 12.5 Vgs = 0V, F = 1 MHz
Coss Common Source Output Capacitance
55.0 pF Vds = 12.5 Vgs = 0V, F = 1 MHz
POLYFET RF DEVICES
REVISION 03/28/2001
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
No Preview Available ! |
SC721
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
SC721Pin vs Pout Freq=400MHz, VDS=12.5V, Idq=.2A
20
1000
S1C 1 DIE CAPACITANCE
Pout 10.00
15
100 Coss
10
8.00
5
Efficiency = 60%
Gain
0 6.00
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Pin in Watts
IV CURVE
S1C 1 DIE IV
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
vg=2v
Vg=4v
Vg=V6DvSINVOLTSvg=8v
0 vg=12v
Zin Zout
10
1
0
10.00
1.00
0.10
0.01
0
Ciss
Crss
5 10 15 20
VDS IN VOLTS
ID & GM VS VGS
S1C1DIE ID&GMVsVG
25
Id
30
gM
2 4 6 8 10 12 14 16
Vgs in Volts
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
18
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
POLYFET RF DEVICES
REVISION 03/28/2001
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
Скачать PDF:
[ SC721.PDF Даташит ]
Руководство по использованию сайта
| Благодарим вас за то, что вы выбрали наш сайт поиска спецификаций, чтобы найти необходимую вам техническую информацию. Надеемся, что наш сайт станет для вас ценным ресурсом и вы найдете нужную информацию. Если у вас есть какие-либо вопросы или отзывы, наша команда стремится предоставить максимально точную и актуальную информацию и всегда ищет способы улучшить ваш опыт на нашем сайте. |
Рекомендуемые списки, связанные с частью
| Исходя из ваших критериев поиска, мы нашли другие таблицы данных, которые могут вас заинтересовать. Эти связанные таблицы содержат дополнительную информацию об аналогичных продуктах и технических характеристиках и могут помочь вам найти идеальное решение для нужд вашего проекта. |
| Номер в каталоге | Описание | Производители |
| SC721 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR | Polyfet RF Devices |
| SC724 | Very Low Ron Load Switch |  Semtech |
| SC725 | Very Low Ron Load Switch | Semtech |
| SC728 | Very Low Ron Load Switch | Semtech |
| Номер в каталоге | Описание | Производители |
| TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
 Unisonic Technologies |
| IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
 Vishay |
| LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
 STMicroelectronics |
|
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |