|
|
|
даташит D1094UK PDF ( Datasheet )
| Спецификация D1094UK изготовлена «Seme LAB» и имеет функцию, называемую «METAL GATE RF SILICON FET». На этой странице представлена подробная информация о характеристиках и технических характеристиках детали. Если вы правильно понимаете эти части, они могут помочь вам завершить ваши проекты и отремонтировать детали. |
| Номер произв | D1094UK | |||
| Описание | METAL GATE RF SILICON FET | |||
| Производители | Seme LAB | |||
| логотип |  |
|||
1Page
MECHANICAL DATA
PIN 1
PIN 3
PIN 5
SOURCE
GATE
SOURCE
SOT 171
PIN 2
PIN 4
PIN 6
SOURCE
DRAIN
SOURCE
TetraFET
D1094UK
METAL GATE RF SILICON FET
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
20W – 28V – 400MHz
SINGLE ENDED
FEATURES
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
• VERY LOW Crss
• SIMPLE BIAS CIRCUITS
• LOW NOISE
• HIGH GAIN – 11 dB MINIMUM
APPLICATIONS
• HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS
from 1 MHz to 1 GHz
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C unless otherwise stated)
PD Power Dissipation
50W
BVDSS
Drain – Source Breakdown Voltage
65V
BVGSS
Gate – Source Breakdown Voltage
±20V
ID(sat)
Drain Current *
6A
Tstg Storage Temperature
–65 to 150°C
Tj Maximum Operating Junction Temperature
200°C
Semelab plc. Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.
E-mail: sales@semelab.co.uk Website http://www.semelab.co.uk
Prelim. 3/00
D1094UK
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Test Conditions
Min.
Drain–Source
BVDSS Breakdown Voltage
VGS = 0
ID = 10mA
65
IDSS
Zero Gate Voltage
Drain Current
VDS = 28V
VGS = 0
IGSS Gate Leakage Current
VGS(th) Gate Threshold Voltage *
gfs Forward Transconductance *
GPS
h
Common Source Power Gain
Drain Efficiency
VSWR Load Mismatch Tolerance
VGS = 20V
ID = 10mA
VDS = 10V
PO = 20W
VDS = 28V
f = 400MHz
VDS = 0
VDS = VGS
ID = 0.6A
IDQ = 0.6A
1
1.08
11
50
20:1
Ciss
Coss
Crss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
VDS = 0
VDS = 28V
VDS = 28V
VGS = –5V f = 1MHz
VGS = 0 f = 1MHz
VGS = 0 f = 1MHz
Typ.
Max. Unit
V
6 mA
6 mA
7V
S
dB
%
—
72 pF
36 pF
3 pF
* Pulse Test: Pulse Duration = 300 ms , Duty Cycle £ 2%
HAZARDOUS MATERIAL WARNING
The ceramic portion of the device between leads and metal flange is beryllium oxide. Beryllium oxide dust is highly
toxic and care must be taken during handling and mounting to avoid damage to this area.
THESE DEVICES MUST NEVER BE THROWN AWAY WITH GENERAL INDUSTRIAL OR DOMESTIC WASTE.
THERMAL DATA
RTHj–case
Thermal Resistance Junction – Case
Max.3.5°C / W
Semelab plc. Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.
E-mail: sales@semelab.co.uk Website http://www.semelab.co.uk
Prelim. 3/00
|
||||
| Всего страниц | 2 Pages | |||
| Скачать PDF | [ D1094UK.PDF Даташит ] | |||
| Благодарим вас за то, что вы выбрали наш сайт поиска спецификаций, чтобы найти необходимую вам техническую информацию. Надеемся, что наш сайт станет для вас ценным ресурсом и вы найдете нужную информацию. Если у вас есть какие-либо вопросы или отзывы, наша команда стремится предоставить максимально точную и актуальную информацию и всегда ищет способы улучшить ваш опыт на нашем сайте. |
Ссылка Поделиться
Рекомендуемые списки, связанные с частью
| Исходя из ваших критериев поиска, мы нашли другие таблицы данных, которые могут вас заинтересовать. Эти связанные таблицы содержат дополнительную информацию об аналогичных продуктах и технических характеристиках и могут помочь вам найти идеальное решение для нужд вашего проекта. |
| Номер в каталоге | Описание | Производители |
| D1094UK | METAL GATE RF SILICON FET | Seme LAB |
| Номер в каталоге | Описание | Производители |
| TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
 Unisonic Technologies |
| IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
 Vishay |
| LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
 STMicroelectronics |
|
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |