BF1012W PDF даташит
Спецификация BF1012W изготовлена «Siemens Semiconductor Group» и имеет функцию, называемую «SILICON N-CHANNEL MOSFET TETRODE (For low-noise/ gain-controlled input stages up to 1 GHz)». |
|
Детали детали
Номер произв | BF1012W |
Описание | SILICON N-CHANNEL MOSFET TETRODE (For low-noise/ gain-controlled input stages up to 1 GHz) |
Производители | Siemens Semiconductor Group |
логотип |
3 Pages
No Preview Available ! |
No Preview Available ! |
No Preview Available ! |
Скачать PDF:
[ BF1012W.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
BF1012 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise/ high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 12V Integrated stabilized bias network | Siemens Semiconductor Group |
BF1012S | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise/ high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network) | Siemens Semiconductor Group |
BF1012W | SILICON N-CHANNEL MOSFET TETRODE (For low-noise/ gain-controlled input stages up to 1 GHz) | Siemens Semiconductor Group |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |