DataSheet26.com

BF1012W PDF даташит

Спецификация BF1012W изготовлена ​​​​«Siemens Semiconductor Group» и имеет функцию, называемую «SILICON N-CHANNEL MOSFET TETRODE (For low-noise/ gain-controlled input stages up to 1 GHz)».

Детали детали

Номер произв BF1012W
Описание SILICON N-CHANNEL MOSFET TETRODE (For low-noise/ gain-controlled input stages up to 1 GHz)
Производители Siemens Semiconductor Group
логотип Siemens Semiconductor Group логотип 

3 Pages
scroll

No Preview Available !

BF1012W Даташит, Описание, Даташиты









No Preview Available !

BF1012W Даташит, Описание, Даташиты









No Preview Available !

BF1012W Даташит, Описание, Даташиты










Скачать PDF:

[ BF1012W.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
BF1012Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise/ high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 12V Integrated stabilized bias networkSiemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BF1012SSilicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise/ high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network)Siemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BF1012WSILICON N-CHANNEL MOSFET TETRODE (For low-noise/ gain-controlled input stages up to 1 GHz)Siemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск