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BP104FS PDF даташит

Спецификация BP104FS изготовлена ​​​​«Siemens Semiconductor Group» и имеет функцию, называемую «Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter».

Детали детали

Номер произв BP104FS
Описание Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Производители Siemens Semiconductor Group
логотип Siemens Semiconductor Group логотип 

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BP104FS Даташит, Описание, Даташиты
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
NEU: in SMT
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
NEW: in SMT
BP 104 F
BP 104 FS
Cathode marking
4.0
3.7
5.4
4.9 Chip position
4.5
4.3
0.6
0.4
0.5
0.3
0.8
0.6
0.6
0.35 0.4
0.2
0 ... 5˚
5.08 mm
spacing
Photosensitive area
2.20 mm x 2.20 mm
Approx. weight 0.1 g
Chip position
1.1
0.9
GEO06075
6.7
6.2
4.5
4.3 1.6
1.2
Photosensitive area
2.20 mm x 2.20 mm
Cathode lead
GEO06861
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Semiconductor Group
1
1997-11-19









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BP104FS Даташит, Описание, Даташиты
BP 104 F
BP 104 FS
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen
bei 950 nm
q kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
q DIL-Plastikbauform mit hoher Packungs-
dichte
q BP 104 FS: geeignet für Vapor-Phase
Löten und IR-Reflow Löten
Anwendungen
q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
q Especially suitable for applications
of 950 nm
q Short switching time (typ. 20 ns)
q DIL plastic package with high packing
density
q BP 104 FS: suitable for vapor-phase and
IR-reflow soldering
Applications
q IR remote control of hi-fi and TV sets,
video tape recorders, dimmers, remote
controls of various equipment
q Photointerrupters
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
BP 104 F
(*BP 104 )
BP 104 FS
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P84
Q62702-P1646
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C
Symbol
Symbol
Top; Tstg
VR
Ptot
Wert
Value
– 40 ... + 85
Einheit
Unit
°C
20 V
150 mW
Semiconductor Group
2
1997-11-19









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BP104FS Даташит, Описание, Даташиты
BP 104 F
BP 104 FS
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
Quantenausbeute
Quantum yield
Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm2
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0
Forward voltage
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
Symbol
Symbol
S
λS max
λ
A
L×B
L×W
H
ϕ
IR
Sλ
η
VO
ISC
tr, tf
VF
C0
Wert
Value
34 (25)
Einheit
Unit
µA
950
780 ... 1100
nm
nm
4.84
2.20 × 2.20
mm2
mm × mm
0.5 mm
0.3 (BP 104 FS)
± 60
2 (30)
Grad
deg.
nA
0.70 A/W
0.90
330 (250)
Electrons
Photon
mV
17 µA
20 ns
1.3 V
48 pF
Semiconductor Group
3
1997-11-19










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Номер в каталогеОписаниеПроизводители
BP104FSilizium-PIN-Fotodiode mit TageslichtsperrfilterSiemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BP104FSSilizium-PIN-Fotodiode mit TageslichtsperrfilterSiemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

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