DataSheet26.com

BP103B PDF даташит

Спецификация BP103B изготовлена ​​​​«Siemens Semiconductor Group» и имеет функцию, называемую «NPN-Silizium-Fototransistor NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter».

Детали детали

Номер произв BP103B
Описание NPN-Silizium-Fototransistor NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter
Производители Siemens Semiconductor Group
логотип Siemens Semiconductor Group логотип 

5 Pages
scroll

No Preview Available !

BP103B Даташит, Описание, Даташиты
BP 103 B
BP 103 BF
.NPN-Silizium-Fototransistor
NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter
Silicon NPN Phototransistor
NEW: Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter
BP 103 B
BP 103 BF
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm (BP 103 B)
und bei 880 nm (BP 103 BF)
q Hohe Linearität
q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
q Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q Computer-Blitzlichtgeräte
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q Industrieelektronik
q “Messen/Steuern/Regeln”
Features
q Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm (BP 103 B) and of
880 nm (BP 103 BF)
q High linearity
q 5 mm LED plastic package
q Available in groups
Applications
q Computer-controlled flashes
q Light-reflecting switches for steady and
varying intensity
q Industrial electronics
q For control and drive circuits
Semiconductor Group
204









No Preview Available !

BP103B Даташит, Описание, Даташиты
BP 103 B
BP 103 BF
Typ (*ab 4/95) Bestellnummer
Type (*as of 4/95) Ordering Code
BP 103 B-2
(*SFH 300-2)
Q62702-P85-S2
BP 103 B-3
(*SFH 300-3)
BP 103 B-41)
(*SFH 300-4)
Q62702-P85-S3
Q62702-P85-S4
Gehäuse
Package
T13/4, klares bzw. schwarzes Epoxy-Gieβharz, Löt-
spieβe im 2.54-mm-Raster (1/10”), Kollektorkennzei-
chung: kürzerer Lötspieβ, flach am Gehäuseboden
T13/4, transparent and black epoxy resin lens, sol-
der tabs 2.54 mm (1/10”) lead spacing, collector
marking: short solder lead, flat at package bottom
BP 103 BF-2
Q62702-P1192
(*SFH 300 FA-2)
BP 103 BF-3
Q62702-P1057
(*SFH 300 FA-3)
BP 103 BF-4
Q62702-P1058
(*SFH 300 FA-4)
1) Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1) Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.
In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t 5s
Dip soldering temperature 2 mm distance
from case bottom, soldering time t 5s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t 3s
Iron soldering temperature 2 mm distance
from case bottom t 3s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Symbol
Symbol
Top; Tstg
TS
TS
VCE
IC
Wert
Value
–55 ... +100
260
Einheit
Unit
oC
oC
300 oC
35 V
50 mA
Semiconductor Group
205









No Preview Available !

BP103B Даташит, Описание, Даташиты
BP 103 B
BP 103 BF
Bezeichnung
Description
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
Verlustleistung, TA = 25 oC
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
ICS
VEC
Ptot
RthJA
Wert
Value
100
7
200
375
Einheit
Unit
mA
V
mW
K/W
Kennwerte (TA = 25 oC, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Kapazität, VEC = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
Dunkelstrom
Dark current
VCEO = 35 V, E = 0
Symbol
Symbol
λS max
λ
A
LxB
LxW
H
ϕ
CCE
ICEO
Wert
Value
BP 103 B
850
BP 103 BF
900
Einheit
Unit
nm
420 ... 1130 730 ... 1120 nm
0.12
0.045
mm2
0.5 x 0.5 0.45 x 0.45 mm x mm
4.1 ... 4.7 2.4 ... 2.8 mm
± 25
6.5
5 (100)
± 12
5.0
1 (200)
Grad
deg.
pF
nA
Semiconductor Group
206










Скачать PDF:

[ BP103B.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
BP103NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN PhototransistorSiemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BP103-2NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN PhototransistorSiemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BP103-3NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN PhototransistorSiemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BP103-4NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN PhototransistorSiemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск