DataSheet26.com

BP103-2 PDF даташит

Спецификация BP103-2 изготовлена ​​​​«Siemens Semiconductor Group» и имеет функцию, называемую «NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor».

Детали детали

Номер произв BP103-2
Описание NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
Производители Siemens Semiconductor Group
логотип Siemens Semiconductor Group логотип 

6 Pages
scroll

No Preview Available !

BP103-2 Даташит, Описание, Даташиты
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
BP 103
BP 103
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm
q Hohe Linearität
q TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-
Gieβharz, mit Basisanschluβ
q Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm
q High linearity
q TO-18, base plate, transparent epoxy resin
lens, with base connection
Anwendungen
q Computer-Blitzlichtgeräte
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q Industrieelektronik
q “Messen/Steuern/Regeln”
Applications
q Computer-controlled flashes
q Photointerrupters
q Industrial electronics
q For control and drive circuits
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BP 103
Q62702-P75
BP 103-2
Q62702-P79-S1
BP 103-3
Q62702-P79-S2
BP 103-4
BP 103-51)
Q62702-P79-S4
Q 62702-P781
1) Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1) Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.
In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Semiconductor Group
211
10.95









No Preview Available !

BP103-2 Даташит, Описание, Даташиты
BP 103
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t 5 s
Dip soldering temperature, 2 mm distance
from case bottom t 5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t 3 s
Iron soldering temperature, 2 mm distance
from case bottom t 3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
Emitter-Basisspannung
Emitter -base voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Top; Tstg
TS
TS
VCE
IC
ICS
VEB
Ptot
RthJA
Wert
Value
– 40 ... + 80
Einheit
Unit
°C
260 °C
300 °C
50 V
100 mA
200 mA
7V
150 mW
500 K/W
Semiconductor Group
212









No Preview Available !

BP103-2 Даташит, Описание, Даташиты
BP 103
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessungen der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light a
VCB = 5 V
Kapazität
Capacitance
VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Dunkelstrom
Dark current
VCE = 35 V, E = 0
Symbol
Symbol
λS max
λ
A
L× B
L×W
H
ϕ
IPCB
IPCB
CCE
CCB
CEB
ICEO
Wert
Value
850
Einheit
Unit
nm
420 ... 1130 nm
0.12
0.5 × 0.5
0.2 ... 0.8
mm2
mm × mm
mm
± 55 Grad
deg.
0.9 µA
2.7 µA
8
11
19
5 (100)
pF
pF
pF
nA
Semiconductor Group
213










Скачать PDF:

[ BP103-2.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
BP103-2NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN PhototransistorSiemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BP103-3NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN PhototransistorSiemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BP103-4NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN PhototransistorSiemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BP103-5NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN PhototransistorSiemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск