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Datasheet BP103 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Category |
| 1 | BP103 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
BP 103
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm q Hohe Linearität q TO-18, Bodenplatte, klares |  Siemens Semiconductor Group | transistor |
| 2 | BP103-2 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
BP 103
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm q Hohe Linearität q TO-18, Bodenplatte, klares | Siemens Semiconductor Group | transistor |
| 3 | BP103-3 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
BP 103
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm q Hohe Linearität q TO-18, Bodenplatte, klares | Siemens Semiconductor Group | transistor |
| 4 | BP103-4 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
BP 103
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm q Hohe Linearität q TO-18, Bodenplatte, klares | Siemens Semiconductor Group | transistor |
| 5 | BP103-5 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
BP 103
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm q Hohe Linearität q TO-18, Bodenplatte, klares | Siemens Semiconductor Group | transistor |
BP1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Catagory |
| 1 | BP10-005 | Diode, Rectifier American Microsemiconductor diode | | |
| 2 | BP10-01 | Diode, Rectifier American Microsemiconductor diode | | |
| 3 | BP10-02 | Diode, Rectifier American Microsemiconductor diode | | |
| 4 | BP10-04 | Diode, Rectifier American Microsemiconductor diode | | |
| 5 | BP10-06 | Diode, Rectifier American Microsemiconductor diode | | |
| 6 | BP10-08 | Diode, Rectifier American Microsemiconductor diode | | |
| 7 | BP10-10 | Diode, Rectifier American Microsemiconductor diode | |
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nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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