BY1800 PDF даташит
Спецификация BY1800 изготовлена «Diotec Semiconductor» и имеет функцию, называемую «Silicon Rectifiers». |
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Детали детали
Номер произв | BY1800 |
Описание | Silicon Rectifiers |
Производители | Diotec Semiconductor |
логотип |
2 Pages
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Silicon Rectifiers
BY 251 … BY 255, BY 1600 … BY 2000
Silizium Gleichrichter
Ø 4.5 ±0.1
Ø 1.2 ±0.05
Dimensions / Maße in mm
Nominal current – Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
3A
200…2000 V
~ DO-201
1g
see page 16
siehe Seite 16
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
BY 251
200 200
BY 252
400 400
BY 253
600 600
BY 254
800 800
BY 255
1300
1300
BY 1600
1600
1600
BY 1800
1800
1800
BY 2000
2000
2000
higher voltages see page 191:
höhere Spannungen siehe Seite 191:
BY 4...BY 16
4000...16000
4000...16000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 50/C
f > 15 Hz
TA = 25/C
TA = 25/C
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
3 A 1)
20 A 1)
100 A
50 A2s
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
64 28.02.2002
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BY 251…BY 255, BY 1600…BY 2000
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics
Forward voltage – Durchlaßspannung
Tj = 25/C
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25/C
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
IF = 3 A
VR = VRRM
Tj – 50…+150/C
TS – 50…+175/C
Kennwerte
VF < 1.1 V
IR < 20 :A
RthA < 25 K/W 1)
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
28.02.2002
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Номер в каталоге | Описание | Производители |
BY1800 | Silicon Rectifiers | Diotec Semiconductor |
BY1800 | Standard silicon rectifier diodes | Semikron International |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
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