DataSheet26.com

2SC1815 PDF даташит

Спецификация 2SC1815 изготовлена ​​​​«BLUE ROCKET ELECTRONICS» и имеет функцию, называемую «Silicon NPN transistor».

Детали детали

Номер произв 2SC1815
Описание Silicon NPN transistor
Производители BLUE ROCKET ELECTRONICS
логотип BLUE ROCKET ELECTRONICS логотип 

6 Pages
scroll

No Preview Available !

2SC1815 Даташит, Описание, Даташиты
2SC1815
Rev.E Nov.-2015
DATA SHEET
描述 / Descriptions
TO-92 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package.

特征 / Features
耐压高,电流大,有极好的 hFE 特性,低噪声系数,可与 2SA1015 互补。
High voltage and high current, excellent hFE linearity ,low noise ,complementary pair with 2SA1015.
用途 / Applications
用于音频放大,激励级放大。
Audio frequency general purpose ,driver stage amplifier applications.
内部等效电路 / Equivalent Circuit
引脚排列 / Pinning
1 23
PIN1Base
PIN 2Collector
PIN 3Emitter
放大及印章代码 / hFE Classifications & Marking
hFE Classifications
Symbol
hFE Range
O
70~140
Y
120~240
GR
200~400
BL
350~700
http://www.fsbrec.com
1/6









No Preview Available !

2SC1815 Даташит, Описание, Даташиты
2SC1815
Rev.E Nov.-2015
极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25)
参数
Parameter
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current - Continuous
Base Current - Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
符号
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Tstg
DATA SHEET
数值
Rating
60
50
5.0
150
50
400
150
-55150
单位
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25)
参数
Parameter
Collector to Base Breakdown
Voltage
Collector to Emitter Breakdown
Voltage
Emitter to Base Breakdown
Voltage
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
DC Current Gain
Collector to Emitter Saturation
Voltage
Base to Emitter Saturation
Voltage
Transition Frequency
Collector Output Capacitance
Noise Figure
Base Intrinsic Resistance
符号
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICBO
IEBO
hFE(1)
hFE(2)
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
Cob
NF
rbb
测试条件
Test Conditions
IC=100μA IE=0
最小值 典型值 最大值
Min Typ Max
60
单位
Unit
V
IC=500μA IB=0
50
V
IE=100μA
VCB=60V
VEB=5.0V
VCE=6.0V
VCE=6.0V
IC=100mA
IC=0
IE=0
IC=0
IC=2.0mA
IC=150mA
IB=10mA
5.0
0.1
0.1
70 700
25 100
0.1 0.25
V
μA
μA
V
IC=100mA
VCE=10V
VCB=10V
f=1.0MHz
VCE=6.0V
Rg=10K
VCB=10V
f=30MHz
IB=10mA
IC=1.0mA
IE=0
IC=0.1mA
f=1.0KHz
IC=1.0mA
1.0 V
80 MHz
2.0 3.5
pF
1.0 10
dB
50
http://www.fsbrec.com
2/6









No Preview Available !

2SC1815 Даташит, Описание, Даташиты
2SC1815
Rev.E Nov.-2015
电参数曲线图 / Electrical Characteristic Curve
DATA SHEET
http://www.fsbrec.com
3/6










Скачать PDF:

[ 2SC1815.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
2SC1810SPECIFICATION TRANSISTORSS / DIODESETC
ETC
2SC1812NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORWEJ
WEJ
2SC1815Silicon NPN Epitaxail Type(for Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications)Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
2SC1815NPN SILICON TRANSISTORMicro Electronics
Micro Electronics

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск