MMBTA55 PDF даташит
Спецификация MMBTA55 изготовлена «BLUE ROCKET ELECTRONICS» и имеет функцию, называемую «Silicon PNP transistor». |
|
Детали детали
Номер произв | MMBTA55 |
Описание | Silicon PNP transistor |
Производители | BLUE ROCKET ELECTRONICS |
логотип |
6 Pages
No Preview Available ! |
MMBTA55
Rev.E Mar.-2016
DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
与 MMBTA05 互补。
Complementary to MMBTA05.
用途 / Applications
用于中功率放大和开关。
Ideal for medium power amplification and switching.
内部等效电路 / Equivalent Circuit
引脚排列 / Pinning
3
2
1
PIN1:Emitter
PIN 2:Base PIN 3:Collector
放大及印章代码 / hFE Classifications & Marking
hFE Range
Marking
100~300
H2H
http://www.fsbrec.com
1/6
No Preview Available ! |
MMBTA55
Rev.E Mar.-2016
极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
参数
Parameter
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
符号
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
Tj
Tstg
DATA SHEET
数值
Rating
-60
-60
-4.0
-500
300
150
-55~150
单位
Unit
V
V
V
mA
mW
℃
℃
电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数
Parameter
Collector to Base Breakdown
Voltage
Collector to Emitter Breakdown
Voltage
Emitter to Base Breakdown
Voltage
Collector Cut-Off Current
Collector−Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Collector −Emitter Saturation
Voltage
Base−Emitter Saturation Voltage
Transition Frequency
符号
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICBO
ICES
hFE(1)
hFE(2)
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
测试条件
Test Conditions
IC=-100μA IE=0
最小值 典型值 最大值 单位
Min Typ Max Unit
-60 V
IC=-1.0mA IB=0
-60
V
IE=-100μA
VCB=-60V
VCE=-60V
VCE=-1.0V
VCE=-1.0V
IC=-100mA
IC=-100mA
VCE=-1.0V
f=100MHz
IC=0
IE=0
IB=0
IC=-100mA
IC=-10mA
IB=-10mA
VCE=-1.0V
IC=-100mA
-4.0
100
100
50
V
-0.1 μA
-0.1 μA
300
300
-0.25 V
-1.2 V
MHz
http://www.fsbrec.com
2/6
No Preview Available ! |
MMBTA55
Rev.E Mar.-2016
电参数曲线图 / Electrical Characteristic Curve
DATA SHEET
http://www.fsbrec.com
3/6
Скачать PDF:
[ MMBTA55.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
MMBTA517 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE HIGH DARLINGTON TRANSISTOR) | KEC(Korea Electronics) |
MMBTA517 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR | KEC |
MMBTA55 | PNP General Purpose Amplifier | MCC |
MMBTA55 | PNP General Purpose Transistor | Bruckewell |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |