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KC5FB60H PDF даташит

Спецификация KC5FB60H изготовлена ​​​​«SHINDENGEN» и имеет функцию, называемую «Thyristor».

Детали детали

Номер произв KC5FB60H
Описание Thyristor
Производители SHINDENGEN
логотип SHINDENGEN логотип 

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KC5FB60H Даташит, Описание, Даташиты
SMD
KC5FB60H
600V5A
特長
小型 SMD
高耐圧
高感度品
Feature
SmallSMD
HighVoltage
HighSensitivity
Thyristor
■外観図 OUTLINE
Package:FB
KC560H
000000
Unit:mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合は Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
Tstg
接合部温度
OperatingJunctionTemperature
Tj
せん頭オフ電圧
RepetitivepeakOff-stateVoltage
VDRM RGK=220Ω
せん頭逆電圧
RepetitivepeakReverseVoltage
VRRM RGK=220Ω
平均オン電流
AverageOn-stateCurrent
IT(AV)
Tc=98℃,60Hz正弦波,導通角 θ=180°
Tc=98˚C,60Hzsinewave,θ=180°
サージオン電流
SurgeOn-stateCurrent
ITSM
Tj=25℃,60Hz正弦波,導通角 θ=180° 非繰り返し
Tj=25˚C,60Hzsinewave,θ=180°non-repetitive
電流二乗時間積
CurrentSquaredTime
I2t Tj=25℃,8.3ms,非繰り返し
臨界オン電流上昇率
CriticalRateofRiseofOn-stateCurrent
di/dt
ピークゲート損失
PeakGateDissipation
PFGM f≧60Hz,Duty≦10%
平均ゲート損失
AverageGateDissipation
PFG(AV)
ピークゲート順電流
PeakForwardGateCurrent
IFGM f= 60Hz,Duty≦10%
ピークゲート逆電圧
PeakReverseGateVoltage
VRGM
-55~150
-40~125
600
600
5
90
33.6
50
2
0.2
0.3
6
V
V
A
A
A2s
A/μs
W
W
A
V
●電気的・熱的特性
せん頭オフ電流
Off-stateCurrent
せん頭逆電流
ReverseCurrent
オン電圧
On-stateVoltage
ゲートトリガ電圧
GatetriggerVoltage
ゲート非トリガ電圧
Gatenon-triggerVoltage
ゲートトリガ電流
GatetriggerCurrent
保持電流
HoldingCurrent
熱抵抗
ThermalResistance
ElectricalCharacteristics指定のない場合は Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
IDRM
IRRM
VTM
VD=600V,RGK=220Ωパルス測定
VD=600V,RGK=220Ω Pulsemeasurement
VR=600V,RGK=220Ωパルス測定
VR=600V,RGK=220Ω Pulsemeasurement
ITM=15A パルス測定
ITM=15APulsemeasurement
MAX 10
MAX 10
MAX 1.8
μA
μA
V
VGT VD=6V,RL=100Ω
MAX 0.8
V
VGD Tj=125℃,VD=1/2VDRM,RGK=220Ω
IGT VD=6V,RL=100Ω
IH
θjc
IT=100mA,RGK=220Ω
接合部・ケース間
Junctiontocase
MIN 0.1
MIN 1
MAX 100
MIN 0.2
MAX 5.0
MAX 3
V
μA
mA
℃/W
THY-p2014.02〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/









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KC5FB60H Даташит, Описание, Даташиты
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
On-state Voltage vs On-state Current
Surge On-state Current Capability
KC5FB60H
On-state Power Dissipation
Derating Curve Tc-I
Gate Characteristic
Gate Trigger Current vs Pulse Width
Gate Trigger Voltage vs Pulse Width
Gate Trigger Current vs Junction Temperature Holding Current vs Junction Temperature
Gate Trigger Voltage vs Junction Temperature
* Sinewaveは 50Hzで測定しています。
50Hzsinewaveisusedformeasurements.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
THY-p2014.02〉)









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Номер в каталогеОписаниеПроизводители
KC5FB60HThyristorSHINDENGEN
SHINDENGEN
KC5FB60HRThyristorSHINDENGEN
SHINDENGEN
KC5FB60HRTThyristorSHINDENGEN
SHINDENGEN

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
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