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T4R2F90SB PDF даташит

Спецификация T4R2F90SB изготовлена ​​​​«SHINDENGEN» и имеет функцию, называемую «IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )».

Детали детали

Номер произв T4R2F90SB
Описание IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
Производители SHINDENGEN
логотип SHINDENGEN логотип 

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T4R2F90SB Даташит, Описание, Даташиты
T4R2F90SB
900V4.2A
特長
絶縁タイプ
高耐圧
高速スイッチング
Feature
IsolatedPackage
HighVoltage
HighSpeedSwitching
IGBT
■外観図 OUTLINE
PackageFTO-220AG3pin
Unit:mm
0000
T4R2SB
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-EmitterVoltage
ゲート・エミッタ間電圧
Gate-EmitterVoltage
コレクタ電流(直流)
ContinuousCollectorCurrent(DC)
コレクタ電流(ピーク)
ContinuousCollectorCurrent(Peak)
全損失
TotalPowerDissipation
繰り返しアバランシェ電流
RepetitiveAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
繰り返しアバランシェエネルギー
RepetitiveAvalancheEnergy
絶縁耐圧
DielectricStrength
締め付けトルク
MountingTorque
Tstg
Tch
VCES
VGES
IC
ICP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
PT
IAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
Vdis
一括端子・ケース間,AC1分間印加
Terminalstocase,AC1minute
TOR
(推奨値:0.3N・m)
(Recommendedtorque:0.3Nm)
-55~150
150
900
±30
4.2
8.4
67.5
4.2
35
3.5
2
0.5
V
A
W
A
mJ
mJ
kV
N・m
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
コレクタ・エミッタ間降伏電圧
Collector-EmitterBreakdownVoltage
V(BR)CES
IC=1mA,VGE=0V
コレクタ遮断電流
ZeroGateVoltageCollectorCurrent
ICES VCE=900V,VGE=0V
ゲート漏れ電流
Gate-EmitterLeakageCurrent
IGES VGE=±30V,VCE=0V
コレクタ・エミッタ間オン電圧
StaticCollector-EmitterSaturationVoltage
VCE(sat)
IC=4.2A,VGE=10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH IC=1mA,VCE=10V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc
接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VCC=400V,VGE=10V,IC=4.2A
入力容量
InputCapacitance
Cies
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Cres VCE=10V,VGE=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coes
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td(on)
上昇時間
Risetime
tr IC=4.2A,RL=107Ω,VCC=450V,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td(off) VGE(+)=10V,VGE(-)=0V
降下時間
Falltime
tf
900
2.5
8
3.0
16
330
24
55
78
58
165
65
─V
10
μA
±0.1
10
V
3.5
1.85 ℃/W
─ nC
─ pF
ns
IGBT-p2014.03〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/









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■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
T4R2F90SB
Gate Threshold Voltage vs Case emperature
Safe Operating Area
Transient Thermal Impedance
Capacitance Characteristics
Power Derating - Case Temperature
Gate Charge Characteristics
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
Single Avalanche Current vs Inductive Load
* Sinewaveは 50Hzで測定しています。
50Hzsinewaveisusedformeasurements.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
IGBT-p2014.03〉)









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Номер в каталогеОписаниеПроизводители
T4R2F90SBIGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )SHINDENGEN
SHINDENGEN

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

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