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PDF P70F7R5EN Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | P70F7R5EN | |
| Descripción | Power MOSFET ( Transistor ) | |
| Fabricantes | SHINDENGEN | |
| Logotipo |  |
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Nch
P70F7R5EN
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
Package：FTO-220AG（3pin）
Unit：mm
75V70A
特長
煙絶縁タイプ
煙低オン抵抗
煙１０V駆動
煙低容量
Feature
煙IsolatedPackage
煙LowRON
煙10VGateDrive
煙LowCapacitance
0000
70F7REN
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流（直流）
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流（ピーク）
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流（直流）
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
TotalPowerDissipation
単発アバランシェ電流
SingleAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
絶縁耐圧
DielectricStrength
締め付けトルク
MountingTorque
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
IS
PT
IAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
Vdis 一括端子・ケース間，AC1分間印加
Terminalstocase,AC1minute
TOR （推奨値：0.3N・m）
(Recommendedtorque:0.3N・m)
－55～150
150
75
±20
70
280
70
53
70
245
2
0.5
℃
V
A
W
A
mJ
kV
N・m
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V（BR）DSS ID＝1mA,VGS＝0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS＝75V,VGS＝0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS＝±20V,VDS＝0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID＝35A,VDS＝10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance （DS）ON
ID＝35A,VGS＝10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID＝1mA,VDS＝10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS＝70A,VGS＝0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg
ゲート・ソース電荷量
GatetoSourceCharge
Qgs VDD＝60V,VGS＝10V,ID＝70A
ゲート・ドレイン電荷量
GatetoDrainCharge
Qgd
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS＝25V,VGS＝0V,f＝1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td（on）
上昇時間
Risetime
tr ID＝35A,RL＝1.2Ω,VDD＝42V,Rg＝0Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td（off） VGS（＋）＝10V,VGS（－）＝0V
降下時間
Falltime
tf
ダイオード逆回復時間
DiodeReverseRecoveryTime
ダイオード逆回復電荷量
DiodeReverseRecoveryCharge
trr
Qrr
IF＝70A,VGS＝0V,di/dt＝100A/μs
75 ─ ─
V
─
─
─
─
1
±0.1
μA
25 ─ ─
S
─ 3.8 4.8 mΩ
2.0 3.0 4.0
─ ─ 1.5
V
─ ─ 2.35 ℃/W
─ 105 ─
─ 27 ─ nC
─ 40 ─
─ 5720 ─
─ 345 ─ pF
─ 745 ─
─ 11 ─
─
─
43 ─
53 ─
ns
─ 56 ─
─ 57 ─ ns
─ 130 ─ nC
（MOS-p〈2014.03〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/
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| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| P70F7R5EN | Power MOSFET ( Transistor ) | SHINDENGEN |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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