BLDB128D PDF даташит
Спецификация BLDB128D изготовлена «SI Semiconductors» и имеет функцию, называемую «TRANSISTORS». |
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Детали детали
Номер произв | BLDB128D |
Описание | TRANSISTORS |
Производители | SI Semiconductors |
логотип |
5 Pages
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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
NPN D 系列晶体管/ D SERIES TRANSISTORS
BLDB128D
●特点: 耐压高 开关速度快 安全工作区宽 符合 RoHS 规范
■ ■ ■ ■●FEATURES: HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA RoHS COMPLIANT
●应用: 节能灯 电子镇流器 电子变压器 开关电源
■ ■●APPLICATION: FLUORESCENT LAMP
ELECTRONIC BALLAST
■ELECTRONIC TRANSFORMER
■SWITCH MODE POWER SUPPLY
●最大额定值(Tc=25°C)
●Absolute Maximum Ratings(Tc=25°C)
TO-262/263
参数
符号
额定值
单位
PARAMETER
集电极-基极电压
Collector-Base Voltage
SYMBOL
VCBO
VALUE
700
UNIT
V
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
VCEO
400
V
发射极-基极电压
Emitter- Base Voltage
VEBO
9
V
集电极电压
Collector Current
IC 5.0 A
集电极耗散功率
Total Power Dissipation
Ptot 75 W
最高工作温度
Junction Temperature
Tj 150 °C
贮存温度
Storage Temperature
Tstg -65-150
°C
●电特性(Tc=25°C)
●Electronic Characteristics(Tc=25°C)
参数名称
符号
测试条件
最小值 最大值
单位
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
MAX
UNIT
集电极-基极截止电流
Collector-Base Cutoff Current
ICBO
VCB=700V
集电极-发射极截止电流
Collector-Emitter Cutoff Current
ICEO
VCE=400V,IB=0
100 μA
250 μA
集电极-基极电压
Collector-Base Voltage
VCBO
IC=1mA,IE=0
700
V
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
发射极-基极电压
Emitter -Base Voltage
VCEO
VEBO
IC=10mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
400
9
V
V
集电极-发射极饱和电压
Collector-Emitter Saturation Voltae
发射极-基极饱和电压
Base-Emitter Saturation Voltage
Vcesat
Vbesat
IC=1.0A,IB=0.2A
IC=4.0A,IB=1.0A
IC=1.0A,IB=0.2A
0.3
V
0.8
1.1 V
电流放大倍数
DC Current Gain
hFE
贮存时间 Storage Time
tS
下降时间 Falling Time
tf
内置二极管正向压降
Diode Forward Voltage
VF
● 订单信息/ORDERING INFORMATION:
VCE=5V,IC=10mA
VCE=5V,IC=1.0A
VCE=5V,IC=4.0A
VCC=5V,IC=0.5A
(UI9600)
IF=2.0A
7
10 40
5
2.0 4.0
0.8
1.5
µs
V
包装形式/PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料/ Normal Package Material
无卤塑封料/Halogen Free
TO-262 普通袋装/NORMAL PACKING
TO-262 或 263 条管装/TUBE PACKING
TO-263 编带装/TAPE & REEL PACKING
BLDB128D TO-262
BLDB128D TO-262-TU 或
BLDB128D TO-263-TU
BLDB128D TO-263-TR
BLDB128D TO-262-HF
BLDB128D TO-262-TU-HF 或
BLDB128D TO-263-TU-HF
BLDB128D TO-263-TR-HF
Si semiconductors 2013.1
1
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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
NPN D 系列晶体管/ D SERIES TRANSISTORS
产品规格书
Product Specification
BLDB128D
Ic(A)
10
SOA (DC)
1
0.1
0.01
1
hFE
100
10 100 Vce(v)1000
hFE - Ic
%
120
100
80
60
Ptot
40
20
0
0 50
Ptot∝Tj
IS/B
100 150 Tj(℃)200
hFE
100
hFE - Ic
Tj=125℃
Tj=25℃
10 Tj= − 40℃
Tj=125℃
Tj=25℃
10 Tj= − 40℃
1
0.01
Vce=1.5V
0.1
Ic(A)
1 10
Vces(v)
10
hFE=5
1
Vcesat - Ic
Tj=125℃
=4
0.1
Tj=25℃
0.01
0.01
0.1
1 Ic(A) 10
Vce=5V
1
0.01
0.1
Ic(A)
1 10
Vbes(v)
10
Vbesat - Ic
hFE=5
Tj= − 40℃
1
Tj=25℃
Tj=125℃
0.1
0.01
0.1
1 Ic(A) 10
Si semiconductors 2013.1
2
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Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
符号
SYMBOL
A
A1
b
b1
c
c2
D
最小值
min
3.80
2.00
0.60
1.20
0.40
1.10
TO-262 封装机械尺寸
TO-262 MECHANICAL DATA
典型值
nom
最大值
max
4.80
2.80
1.00
1.40
0.70
1.40
9.60
符号
SYMBOL
e
e1
E
L
L1
L2
最小值
min
9.90
12.50
0.80
单位:毫米/UNIT:mm
典型值
最大值
nom
max
2.54
5.30
10.70
14.50
1.00 1.20
1.50
Si semiconductors 2013.1
3
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Номер в каталоге | Описание | Производители |
BLDB128D | TRANSISTORS | SI Semiconductors |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
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