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PDF SIF9N060 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | SIF9N060 | |
| Descripción | N-CHANNEL POWER MOSFET | |
| Fabricantes | SI Semiconductors | |
| Logotipo |  |
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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET
SIF9N060
●特点：热阻低 导通电阻低 栅极电荷低，开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
●FEATURES：■LOW THERMAL RESISTANCE ■LOW RDS(ON) TO MINIMIZE CONDUCTIVE LOSS ■LOW GATE
■CHARGE FOR FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT
●应用：低压高频逆变电路 同步整流 开关
●APPLICATION: ■LOW VOLTAGE,HIGH FREQUENCY INVERTERS ■SYNCHRONOUS RECTIFIER
■PRIMARY SWITCH
●最大额定值（TC=25°C）
●Absolute Maximum Ratings（Tc=25°C）
SOP-8
参数
符号
额定值
单位
PARAMETER
SYMBOL VALUE UNIT
漏-源电压
Drain-source Voltage
VDS 60
V
栅-源电压
gate-source Voltage
VGS ±20
V
漏极电流
Continuous Drain Current
ID 9* A
TC=25℃
①
耗散功率
Total Power Dissipation ①
Ptot
2.6*
W
最高结温
Junction Temperature
Tj 150 °C
存储温度
Storage Temperature
TSTG
-55-175
°C
单脉冲雪崩能量
Single Pulse Avalanche Energy EAS 88
②
mJ
●电特性（Tc=25°C）
●Electronic Characteristics（Tc=25°C）
参数
PARAMETER
漏-源击穿电压
Drain-source Breakdown Voltage
栅极开启电压
Gate Threshold Voltage
符号
SYMBOL
BVDSS
VGS(TH)
测试条件
TEST CONDITION
VGS=0V, ID=250µA
VGS=VDS, ID=250µA
漏-源漏电流
Drain-source Leakage Current
栅极漏电流
Gate-body Leakage
Current
漏-源导通电阻
Static Drain-source On
Resistance
IDSS
IGSS
RDS(ON)
VDS =60V,
VGS =0V, Tj=25°C
VDS =60V,
VGS =0V, Tj=125°C
VGS =±20V ,VDS =0V
VGS =10V, ID=9A
跨导
Forwad Transconductance
gFS
VDS =5V, ID=9A
最小值
MIN
60
典型值
TYP
68
最大值
MAX
单位
UNIT
V
1.2 1.8 2.2 V
1 µA
10 µA
±100
nA
11 15 mΩ
18 S
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
包装形式/PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料/ Normal Package Material 无卤塑封料/Halogen Free
SOP-8 条管装/TUBE PACKING
SIF9N060 SOP-8-TU
SIF9N060 SOP-8-TU-HF
SOP-8 编带装/TAPE & REEL PACKING
SIF9N060 SOP-8-TR
SIF9N060 SOP-8-TR-HF
Si semiconductors 2015.8
1
1 page  
深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
符号
SYMBOL
A
A1
A2
A3
B
B1
B2
最小值
min
4.80
0.37
5.80
3.80
SOP8 封装机械尺寸
SOP8 MECHANICAL DATA
单位:毫米/UNIT：mm
典型值
最大值
符号
最小值
典型值
最大值
nom
max
SYMBOL
min
nom
max
5.00 C 1.30
1.50
0.47 C1 0.55
0.75
1.27 TYP
C2 0.55
0.65
0.41 TYP
C3 0.05
0.20
6.20
C4
0.19
0.20TYP
0.23
4.00
D
1.05TYP
5.0TYP
D1 0.40
0.62
Si semiconductors 2015.8
5
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SIF9N060 | N-CHANNEL POWER MOSFET | SI Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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