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SIF70N100 PDF даташит

Спецификация SIF70N100 изготовлена ​​​​«SI Semiconductors» и имеет функцию, называемую «N-CHANNEL POWER MOSFET».

Детали детали

Номер произв SIF70N100
Описание N-CHANNEL POWER MOSFET
Производители SI Semiconductors
логотип SI Semiconductors логотип 

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SIF70N100 Даташит, Описание, Даташиты
深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
N-沟道功率 MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET
SIF70N100
●特点:热阻低 导通电阻低 栅极电荷低,开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
FEATURES:■LOW THERMAL RESISTANCE LOW RDS(ON) TO MINIMIZE CONDUCTIVE LOSS LOW GATE
CHARGE FOR FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT
●应用:低压高频逆变电路 同步整流 开关
APPLICATION: LOW VOLTAGE,HIGH FREQUENCY INVERTERS SYNCHRONOUS RECTIFIER
PRIMARY SWITCH
●最大额定值(TC=25°C
Absolute Maximum RatingsTc=25°CTO-220/220FP
参数
符号
额定值
单位
PARAMETER
SYMBOL VALUE UNIT
-源电压
Drain-source Voltage
VDS 100
V
-源电压
gate-source Voltage
VGS ±20
V
漏极电流
Continuous Drain Current
ID 70
A
TC=25
耗散功率
Total Power Dissipation
TO-220
Ptot
120
TO-220
FP:40
W
最高结温
Junction Temperature
Tj 150 °C
存储温度
Storage Temperature
TSTG
-55-175
°C
单脉冲雪崩能量
Single Pulse Avalanche Energy
EAS 600
mJ
●电特性(Tc=25°C
Electronic CharacteristicsTc=25°C
参数
PARAMETER
符号
SYMBOL
测试条件
TEST CONDITION
-源击穿电压
Drain-source Breakdown Voltage
BVDSS
VGS=0V, ID=250µA
栅极开启电压
Gate Threshold Voltage
VGS(TH)
VGS=VDS, ID=250µA
-源漏电流
Drain-source Leakage Current
IDSS
VDS =100V,VGS =0V,
栅极漏电流
Gate-body Leakage
Current
-源导通电阻
Static Drain-source On
Resistance
IGSS
RDS(ON)
VGS =±20V ,VDS =0V
VGS =10V, ID=20A
跨导
Forwad Transconductance
gFS
VDS =50V, ID=20A
VDS=100V
RDS(ON)<13mΩ
ID=70A
最小值
MIN
100
典型值
TYP
110
最大值
MAX
单位
UNIT
V
1.4 3 V
1 µA
±100
nA
9.9 13 mΩ
100 S
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
包装形式/PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料/ Normal Package Material
无卤塑封料/Halogen Free
TO-220(FP)条管装/TUBE PACKING
SIF70N100 TO-220-TU
TO-220FP-TU
SIF70N100 TO-220-TU-HF
TO-220FP-TU-HF
Si semiconductors 2015.9
1









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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
N-沟道功率 MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET
产品规格书
Product Specification
SIF70N100
参数
PARAMETER
输入电容
Input Capacitance
输出电容
Output Capacitance
反向传输电容
Reverse Transfer Capacitance
栅极电荷
Total Gate Charge
栅源电荷
Gate-to-Source Charge
栅漏电荷
Gate-to-Drain Charge
栅极开启电荷量
Gate Charge At Threshold
导通延迟
Turn -On Delay Time
开启上升时间
Turn -On Rise Time
关断延迟
Turn -Off Delay Time
关断下降时间
Turn -Off Fall Time
二极管正向压降
Diode Forward Voltage
反向恢复时间
Reverse Recovery Time
反向恢复电荷
Reverse Recovery Charge
符号
SYMBOL
Ciss
Coss
Crss
Qg
Qgs
Qgd
Qg(th)
Td(on)
Tr
Td(off)
Tf
VSD
trr
Qrr
测试条件
TEST CONDITION
VGS = 0V, VDS = 50V
F = 1.0MHZ
ID =20A, VDS =80V
VGS = 10V
VDD=50V, ID=20A
VGS = 10V, RGEN=2.5Ω
Tj=25°C, IF=20A
VGS =0V
If=40Adi/dt=100A/μs
Tj=25°C,
最小值
MIN
典型值
TYP
最大值 单位
MAX UNIT
3100
355 pF
237
71 nC
12 nC
30 nC
nC
15 ns
50 ns
40 ns
55 ns
1.2 V
38 80 ns
53 100 nC
●热特性
Thermal Characteristics
参数
PARAMETER
热阻结-
Thermal Resistance Junction-case
热阻结-环境
Thermal Resistance Junction-ambient
符号
SYMBOL
RthJC
RthJA
TO-220
0.89
62.5
最大值
MAX
TO-220FP
3.13
62.5
单位
UNIT
/W
/W
注释(Notes):
以最高结温为限制, Tc=25℃时测试。
ID & PD base on maximum allowable junction temperature, test at Tc=25.
初始结温=25oC, L=1mH.
Starting Tj=25oC,L=1mH
脉冲测试:脉冲宽度≤ 300μs ,占空比≤ 2%
Pulse Test : Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2%
Si semiconductors 2015.9
2









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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
N-沟道功率 MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET
● 特性曲线
产品规格书
Product Specification
SIF70N100
1 输出特性曲线, Tc=25
2 转移特性曲线
3 导通电阻与漏极电流 曲线
4 导通电阻与结温度 曲线
5 栅电荷 曲线
Si semiconductors 2015.9
6.二极管正向压降与源极电流 曲线
3










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Номер в каталогеОписаниеПроизводители
SIF70N100N-CHANNEL POWER MOSFETSI Semiconductors
SI Semiconductors

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

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