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PDF SIF110N080 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | SIF110N080 | |
| Descripción | N-CHANNEL POWER MOSFET | |
| Fabricantes | SI Semiconductors | |
| Logotipo |  |
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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET
SIF110N080
●特点：热阻低 导通电阻低 栅极电荷低，开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
●FEATURES：■LOW THERMAL RESISTANCE ■LOW RDS(ON) TO MINIMIZE CONDUCTIVE LOSS ■LOW GATE
■CHARGE FOR FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT
●应用：低压高频逆变电路 同步整流 开关应用
●APPLICATION: ■LOW VOLTAGE,HIGH FREQUENCY INVERTERS ■SYNCHRONOUS RECTIFICATION
■SWITCH APPLICATIONS
●最大额定值（TC=25°C）
●Absolute Maximum Ratings（Tc=25°C） TO-220/220FP
参数
PARAMETER
符号 额定值
SYMBOL VALUE
单位
UNIT
漏-源电压
Drain-source Voltage
VDS 80
V
栅-源电压
gate-source Voltage
VGS ±25
V
漏极电流
Continuous Drain Current
TC=25℃
①
ID
110*
A
耗散功率
Total Power Dissipation
①
Ptot
200*
FP:40
W
最高结温
Junction Temperature
存储温度
Storage Temperature
单脉冲雪崩能量
Single Pulse Avalanche Energy
②
Tj 150
TSTG
-55-175
EAS 550
°C
°C
mJ
VDS=80V
RDS(ON)=6.5mΩ
ID=110A
●电特性（Tc=25°C）
●Electronic Characteristics（Tc=25°C）
参数
PARAMETER
符号
SYMBOL
测试条件
TEST CONDITION
最小值
MIN
典型值
TYP
最大值 单位
MAX UNIT
漏-源击穿电压
Drain-source Breakdown Voltage
BVDSS
VGS=0V, ID=250µA
80 86
V
栅极开启电压
Gate Threshold Voltage
VGS(TH)
VGS=VDS, ID=250µA③
2
3
4V
漏-源漏电流
Drain-source Leakage Current
IDSS
VDS =80V,VGS =0V
1 µA
栅极漏电流
Gate-body Leakage
Current (VDS = 0)
漏-源导通电阻
Static Drain-source On
Resistance
IGSS
RDS(ON)
VGS =±20V
VGS =10V, ID=40A③
±100
nA
6.5 8 mΩ
跨导
Forwad Transconductance
gFS
VDS =25V, ID=20A③
80 S
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
包装形式/PACKING
TO-220(FP) 条管装/TUBE PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料/ Normal Package Material
SIF110N080 TO-220(FP)-TU
无卤塑封料/Halogen Free
SIF110N080
TO-220(FP)-TU-HF
Si semiconductors 2015.11
1
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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
TO-220FP 封装机械尺寸
TO-220FP MECHANICAL DATA
符号
SYMBOL
A
A1
b
b1
c
D
D1
E
最小值
min
4.40
2.30
0.45
1.10
0.35
14.50
6.10
9.60
典型值
nom
最大值
max
4.95
2.90
0.90
1.70
0.90
17.00
9.00
10.30
符号
SYMBOL
e
L
L1
L2
L3
øp
Q
最小值
min
12.50
9.10
15.00
3.00
3.00
2.30
产品规格书
Product Specification
单位:毫米/UNIT：mm
典型值
最大值
nom
max
2.54
14.30
10.05
16.00
4.00
3.50
2.80
Si semiconductors 2015.11
5
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SIF110N080 | N-CHANNEL POWER MOSFET | SI Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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