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PDF SIF10N40E Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | SIF10N40E | |
| Descripción | N-CHANNEL POWER MOSFET | |
| Fabricantes | SI Semiconductors | |
| Logotipo |  |
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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET
SIF10N40E
●特点：导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
●FEATURES：■LOW ON-RESISTANCE ■FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE
■RoHS COMPLIANT
●应用：电子镇流器 电子变压器 开关电源
●APPLICATION: ■ELECTRONIC BALLAST ■ELECTRONIC TRANSFORMER ■SWITCH MODE POWER SUPPLY
●最大额定值（TC=25°C）
●Absolute Maximum Ratings（Tc=25°C）
TO-220/220FP/262/263
参数
符号
额定值
单位
PARAMETER
漏-源电压
Drain-source Voltage
栅-源电压
gate-source Voltage
漏极电流
Continuous Drain Current
TC=25℃
SYMBOL
VDS
VGS
ID
VALUE
400
±20
10
UNIT
V
V
A
漏极电流
Continuous Drain Current
TC=100℃
ID
6.3 A
最大脉冲电流
Drain Current －Pulsed ①
IDM
40 A
耗散功率
Power Dissipation
TO-220:140
PD
TO-220FP:40
W
TO-262/263:140
最高结温
Junction Temperature
Tj
150 °C
存储温度
Storage Temperature
TSTG
-55-150
°C
单脉冲雪崩能量
Single Pulse Avalanche Energy②
EAS
310 mJ
漏极电流由最高结温限制
Drain current limited by maximum junction temperature
●电特性（Tc=25°C）
●Electronic Characteristics（Tc=25°C）
参数
符号
测试条件
最小值
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
漏-源击穿电压
Drain-source Breakdown Voltage
击穿电压温度系数
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
栅极开启电压
Gate Threshold Voltage
BVDSS
ΔBVDSS/
ΔTj
VGS(TH)
VGS=0V, ID=250µA
ID=1mA, Referenced to
25°C
VGS=VDS, ID=250µA
400
2.0
漏-源漏电流
Drain-source Leakage Current
跨导
Forward Transconductance
IDSS
gfs
VDS =400V,
VGS =0V, Tj=25°C
VDS =320V,
VGS =0V, Tj=125°C
VDS =50V, ID=5A
③
5
VDS=400V
RDS(ON)=0.55Ω
ID=10.0A
典型值
TYP
最大值
MAX
单位
UNIT
V
0.49 V/°C
4.0 V
25 µA
250 µA
S
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
包装形式/PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料/ Normal Package Material 无卤塑封料/Halogen Free
TO-220 条管装/TUBE PACKING
SIF10N40E TO-220-TU
SIF10N40E TO-220-TU-HF
TO-220FP 条管装/TUBE PACKING
SIF10N40E TO-220FP-TU
SIF10N40E TO-220FP-TU-HF
TO-262 或 263 条管装/TUBE PACKING
SIF10N40E TO-262-TU 或
SIF10N40E TO-263-TU
SIF10N40E TO-262-TU-HF 或
SIF10N40E TO-263-TU-HF
TO-263 编带装/TAPE & REEL PACKING
SIF10N40E TO-263-TR
SIF10N40E TO-263-TR-HF
Si semiconductors 2013.5
1
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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
符号
SYMBOL
A
B
B1
b1
c
D
D1
最小值
min
4.00
1.20
1.00
0.65
0.35
15.00
5.90
TO-220 封装机械尺寸
TO-220 MECHANICAL DATA
典型值
nom
最大值
max
4.80
1.50
1.40
1.00
0.75
16.50
6.90
符号
SYMBOL
E
e
F
L
L1
Q
Q1
φP
最小值
min
9.90
1.10
12.50
3.00
2.50
2.00
3.60
单位：毫米/UNIT：mm
典型值
最大值
nom
max
10.70
2.54
1.45
14.50
3.50
4.00
3.00
3.00
3.90
Si semiconductors 2013.5
5
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SIF10N40C | N-CHANNEL POWER MOSFET | SI Semiconductors |
| SIF10N40E | N-CHANNEL POWER MOSFET | SI Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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