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PDF SIF1N65C Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | SIF1N65C | |
| Descripción | N-CHANNEL POWER MOSFET | |
| Fabricantes | SI Semiconductors | |
| Logotipo |  |
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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET
SIF1N65C
●特点：导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
■●FEATURES：■LOW ON-RESISTANCE ■FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT
●应用：电子镇流器 电子变压器 开关电源
●APPLICATION: ■ELECTRONIC BALLAST ■ELECTRONIC TRANSFORMER ■SWITCH MODE POWER SUPPLY
●最大额定值（TC=25°C）
Absolute Maximum Ratings（Tc=25°C）
TO-92/251/251S/252
参数
PARAMETER
漏-源电压
Drain-source Voltage
栅-源电压
gate-source Voltage
漏极电流
Continuous Drain Current
TC=25℃
漏极电流
Continuous Drain Current
TC=100℃
符号
SYMBOL
VDS
VGS
ID
ID
额定值
VALUE
650
±30
1.0*
0.6*
单位
UNIT
V
V
A
A
VDS=650V
RDS(ON)=17Ω
ID=1.0A
最大脉冲电流
Drain Current －Pulsed ①
IDM
4.0* A
耗散功率
Power Dissipation (TL=25°C)
TO-92:3
Ptot W
TO-251/251S/252:28
最高结温
Junction Temperature
Tj
150 °C
存储温度
Storage Temperature
TSTG
-55-150
°C
单脉冲雪崩能量
Single Pulse Avalanche Energy
②
EAS
14 mJ
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
●电特性（Tc=25°C）
●Electronic Characteristics（Tc=25°C）
参数
符号
测试条件
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITION
漏-源击穿电压
Drain-source Breakdown Voltage
BVDSS
VGS=0V, ID=250µA
击穿电压温度系数
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
ΔBVDSS/
ΔTj
ID=250uA, Referenced to
25°C
栅极开启电压
Gate Threshold Voltage
VGS(TH)
VGS=VDS, ID=250µA
漏-源漏电流
Drain-source Leakage Current
IDSS
VDS =650V,
VGS =0V, Tj=25°C
VDS =520V,
VGS =0V, Tj=125°C
跨导
Forward Transconductance
gfs
VDS =40V, ID=0.5A
③
最小值
MIN
650
2.0
0.5
典型值
TYP
0.6
最大值
MAX
单位
UNIT
V
V/°C
4.0 V
25 µA
250 µA
S
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
包装形式/PACKING
TO-92 盒式编带/AMMOPACK
TO-252 或 251 或 251S 条管装/TUBE PACKING
TO-252 编带装/TAPE & REEL PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料
Nomal Package Material
无卤塑封料/Halogen Free
SIF1N65C TO-92-AP
SIF1N65C TO-92-AP-HF
SIF1N65C TO-251-TU 或
TO-251S-TU 或 TO-252-TU
SIF1N65C TO-251-TU-HF 或
TO-251S-TU-HF 或 TO-252-TU-HF
SIF1N65C TO-252-TR
SIF1N65C TO-252-TR-HF
Si semiconductors 2013.12
1
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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
符号/SYMBOL
A
b
c
φD
D
d
E
e
e1
L
L1
TO-92 封装机械尺寸
TO-92 MECHANICAL DATA
最小值/min
4.30
0.30
0.30
典型值/nom
单位:毫米/UNIT：mm
最大值/max
5.30
0.55
0.50
4.30
5.20
1.00
3.20
12.70
1.50
2.54
1.27
1.70
4.20
15.00
2.00
Si semiconductors 2013.12
5
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SIF1N65C | N-CHANNEL POWER MOSFET | SI Semiconductors |
| SIF1N65EA | N-CHANNEL POWER MOSFET | SI Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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